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1. WO1997016830 - REFERENCE COMPENSEE PAR LA TEMPERATURE DESTINEE A UN CIRCUIT DE CORRECTION DU SUREFFACEMENT DANS UNE MEMOIRE FLASH

Numéro de publication WO/1997/016830
Date de publication 09.05.1997
N° de la demande internationale PCT/US1996/012020
Date du dépôt international 19.07.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 01.04.1997
CIB
G11C 16/28 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
28utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p.ex. des cellules factices
G11C 16/34 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
CPC
G11C 16/28
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
28using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
G11C 16/3404
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3404Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
G11C 16/3409
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3404Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
3409Circuits or methods to recover overerased nonvolatile memory cells detected during erase verification, usually by means of a "soft" programming step
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • CLEVELAND, Lee, E.
  • CHEN, Johnny, C.
Mandataires
  • PITRUZZELLA, Vincenzo, D.
  • BROOKES & MARTIN
Données relatives à la priorité
08/551,42201.11.1995US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TEMPERATURE COMPENSATED REFERENCE FOR OVERERASE CORRECTION CIRCUITRY IN A FLASH MEMORY
(FR) REFERENCE COMPENSEE PAR LA TEMPERATURE DESTINEE A UN CIRCUIT DE CORRECTION DU SUREFFACEMENT DANS UNE MEMOIRE FLASH
Abrégé
(EN)
A reference circuit for overerase correction in a flash memory includes a reference flash memory cell biased in a substantially similar manner to that of an overerased flash memory cell. The leakage current for the reference flash memory cell is preset to a tolerable level of leakage current for a maximum operating temperature of the flash memory and the reference flash memory cell tracks the temperature characteristics of the overerased flash memory cell, to avoid costly overcorrection at high temperatures.
(FR)
Ce circuit de référence pour la correction du sureffacement dans une mémoire flash comprend une cellule de mémoire flash de référence orientée sensiblement de la même manière qu'une cellule de mémoire flash sureffacée. Le courant de fuite pour la cellule de mémoire flash de référence est établi à l'avance à un niveau tolérable de courant de fuite pour une température de fonctionnement maximale de la mémoire flash, la cellule de mémoire flash de référence surveillant les caractéristiques de température de la cellule de mémoire flash sureffacée pour empêcher la surcorrection coûteuse à des températures élevées.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international