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1. (WO1997011498) DIODE VARICAP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/011498    N° de la demande internationale :    PCT/IB1996/000921
Date de publication : 27.03.1997 Date de dépôt international : 11.09.1996
CIB :
H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/93 (2006.01)
Déposants : PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : HUISMAN, Frederikus, Roelof, Johannes; (NL).
BUYK, Oscar, Johannes, Antoinetta; (NL).
BINDKE, Wolfgang; (DE)
Mandataire : TANGENA, Antonius, G.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
95202519.5 18.09.1995 EP
Titre (EN) A VARICAP DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING A VARICAP DIODE
(FR) DIODE VARICAP ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of manufacturing a varicap diode whereby a silicon substrate with an epitaxial layer of a first conductivity type is provided with a first zone through the provision of dopant atoms of a first conductivity type in the epitaxial layer and is provided with a second zone adjoining a surface of the epitaxial layer through the provision of dopant atoms of a second conductivity type opposed to the first in the epitaxial layer, a pn junction being formed between the second zone and the first zone. According to the invention, the method is characterized in that the second zone is provided in that a layer of polycrystalline silicon provided with dopant atoms of the second conductivity type is provided on the surface, and in that the dopant atoms are diffused from this layer into the epitaxial layer, whereby a pn junction is formed at a distance of less than 0.3 $g(m)m from the polycrystalline silicon. The measure according to the invention leads to the manufacture of a varicap diode with a pn junction which shows a wide variation in capacitance of the depleted region around the pn junction for a comparatively small variation in reverse voltage across the pn junction.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une diode varicap constituée d'un substrat de silicium dont une couche épitaxiale présentant un premier type de conductivité est pourvue d'une première zone d'atomes dopants d'un premier type de conductivité, ainsi que d'une seconde zone jouxtant la surface de ladite couche et pourvue d'atomes dopants d'un second type de conductivité, opposé au premier type dans la couche épitaxiale, formant ainsi une jonction pn entre la seconde zone et la première zone. Le procédé de l'invention est caractérisé par le fait que la seconde zone est réalisée par rapport superficiel d'atomes dopants du second type de conductivité à une couche de silicium polycristallin, et ensuite, par la diffusion des atomes dopants de cette couche dans la couche épitaxiale, constituant ainsi une jonction pn à moins de 0,3 $g(m)m du silicium polycristallin. Cet écart spécifique de l'invention permet de fabriquer une diode varicap dont la jonction pn fait preuve d'une importante variation de capacité de la zone de déplétion entourant la jonction pn pour une variation relativement faible de la tension inverse à la jonction pn.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)