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1. (WO1997002586) AFFICHEUR A EMISSION DE CHAMP ET INJECTION DIRECTE D'ELECTRONS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1997/002586    N° de la demande internationale :    PCT/US1996/011332
Date de publication : 23.01.1997 Date de dépôt international : 03.07.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.02.1997    
CIB :
H01J 9/02 (2006.01), H01J 31/12 (2006.01)
Déposants : ADVANCED VISION TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 40 Sandringham Road, Rochester, NY 14610 (US).
POTTER, Michael, D. [US/US]; (US)
Inventeurs : POTTER, Michael, D.; (US)
Mandataire : TOUW, Theodore, R.; 4 Forest Lane, Westford, VT 05494 (US)
Données relatives à la priorité :
08/498,505 05.07.1995 US
08/498,507 05.07.1995 US
Titre (EN) DIRECT ELECTRON INJECTION FIELD-EMISSION DISPLAY DEVICE AND FABRICATION PROCESS
(FR) AFFICHEUR A EMISSION DE CHAMP ET INJECTION DIRECTE D'ELECTRONS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A lateral-emitter electron field-emission display device structure (10) incorporates a thin-film emitter (100) having an emitting edge (110) in direct contact with a non-conducting or very high resistivity phosphor (75), thereby eliminating a gap between the emitter and the phosphor. Such a gap has been a part of all field-emission display devices in the prior art. The ultra-thin-film lateral emitter (100) of the structure is deposited in a plane parallel to the device's substrate (20) and has an inherently small radius of curvature at its emitting edge, which may extend into phosphor (75). A fabrication process specially adapted to make the structure includes a directional trench etch (S15), which both defines the emitting edge and provides an opening (160) to receive a non-conducting phosphor (75). This phosphor covers an anode (70) and is automatically aligned in contact with the emitter edge (110). When an electrical bias voltage is applied between the emitter and anode, electrons are injected directly into the phosphor material from the emitter edge, exciting cathodoluminescence in the phosphor to emit light which is visible in a wide range of viewing angles. With minor variations in the fabrication process, a lateral-emitter electron field emission display device may be made with an extremely small emitter-phosphor gap, having a width less than 100 times the thickness of the ultra-thin emitter (100) or preferably zero gap width. Triode or tetrode embodiments include control electrodes (140).
(FR)Cette structure d'afficheur (10) à émission de champ électronique et émetteur latéral comprend un émetteur à couche mince (100) doté d'un bord émetteur (110) en contact direct avec un luminophore (75) non conducteur ou à très haute résistivité, ce qui élimine l'espace séparant l'émetteur et ledit luminophore, espace qui existe dans tous les afficheurs à émission de champ existants. L'émetteur latéral (100) à couche ultra-mince de cette structure est déposé dans un plan parallèle au substrat (20) du dispositif et présente un rayon de courbure intrinsèquement faible au niveau de son bord émetteur, lequel peut pénétrer dans le luminophore (75). Un procédé de fabrication spécialement conçu pour cette structure comprend une gravure de tranchée directionnelle (S15) qui définit le bord émetteur et produit une ouverture (160) destinée à recevoir un luminophore (75) non conducteur qui recouvre une anode (70) et est automatiquement aligné en contact avec le bord émetteur (110). Quand une tension de polarisation électrique est appliquée entre l'émetteur et l'anode, des électrons sont injectés directement dans le luminophore depuis le bord émetteur, ce qui provoque la cathodoluminescence du luminophore qui émet une lumière visible dans une plage étendue d'angles de vision. Par des variations mineures du processus de fabrication, on peut réaliser un afficheur à émission de champ électronique par émetteur latéral, qui comprend entre l'émetteur et le luminophore un espace extrêmement réduit, dont la largeur est inférieure au centuple de celle de l'émetteur ultra-mince (100), ou de préférence aucun espace. Des variantes à triodes ou tétrodes comprennent des électrodes de commande (140).
États désignés : AU, BR, CA, CN, HU, JP, KP, KR, MX, NO, NZ, PL, RU, SG, TR, UA, VN.
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)