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1. WO1995008842 - BOITIER DE CIRCUIT INTEGRE AVEC UN COUVERCLE SPECIALEMENT CONÇU POUR ETRE ASSUJETTI AU LASER

Numéro de publication WO/1995/008842
Date de publication 30.03.1995
N° de la demande internationale PCT/US1994/010552
Date du dépôt international 16.09.1994
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 18.04.1995
CIB
H01L 21/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H01L 23/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
10caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
CPC
H01L 21/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
H01L 2224/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 2924/01078
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01078Platinum [Pt]
H01L 2924/01079
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01079Gold [Au]
Déposants
  • UNISYS CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • AKHAVAIN, Mohammad
  • PERHRM, Timothy, James
Mandataires
  • STARR, Mark, T.
Données relatives à la priorité
08/125,60522.09.1993US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE HAVING A LID THAT IS SPECIALLY ADAPTED FOR ATTACHMENT BY A LASER
(FR) BOITIER DE CIRCUIT INTEGRE AVEC UN COUVERCLE SPECIALEMENT CONÇU POUR ETRE ASSUJETTI AU LASER
Abrégé
(EN)
An integrated circuit package (10) comprises a body (11) with a cavity (14), at least one integrated circuit chip (15) mounted in the cavity, and a lid (16) which has a novel laminated structure. A bottom layer (16a) of this laminated lid forms a fused metallurgical seal (21) with the package body around the cavity to thereby stop contaminants from entering the cavity; and this bottom layer has a predetermined small thickness which optimizes its ability to be fused to the body without cracks through the seal. By comparison, an overlying top layer (16b) of the lid has a large thickness which protects the bottom layer and the chips in the cavity from damage due to handling. During the packages fabrication, the thin bottom layer is fused by itself to the body of the package with a laser welding step; and after that step is completed, the thick top layer is attached to the thin bottom layer with an adhesive (16c).
(FR)
Un boîtier (10) de circuits intégrés comprend un corps (11) avec une cavité (14), au moins une puce à circuit intégré (15) montée dans la cavité et un couvercle (16) avec une structure laminée nouvelle. Une couche inférieure (16a) de ce couvercle laminé forme un sceau métallique (21) lié par fusion au corps du boîtier, autour de la cavité, ce qui évite l'entrée de contaminants dans la cavité. Cette couche inférieure a une épaisseur réduite prédéterminée qui optimise sa capacité de liaison par fusion au corps sans que des fissures se forment à travers le sceau. Par comparaison, une couche supérieure surjacente (16b) du couvercle a une épaisseur plus grande afin de protéger la couche inférieure et les puces dans la cavité contre les dommages dus à la manutention. Pendant la fabrication des boîtiers, la mince couche inférieure est liée par fusion au corps du boîtier pendant une étape de soudage au laser. Une fois cette étape achevée, l'épaisse couche supérieure est attachée à la mince couche inférieure au moyen d'un adhésif.
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