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1. WO1995007571 - REGULATEUR DE COURANT ALTERNATIF

Numéro de publication WO/1995/007571
Date de publication 16.03.1995
N° de la demande internationale PCT/DE1993/000825
Date du dépôt international 08.09.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.07.1994
CIB
H02H 3/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
HCIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
3Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion
H02H 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
HCIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
9Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
02sensibles à un excès de courant
H03K 17/082 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
CPC
H02H 3/006
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
3Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection
006Calibration or setting of parameters
H02H 9/025
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
9Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
02responsive to excess current
025Current limitation using field effect transistors
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 17/6874
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6871the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
6874in a symmetrical configuration
Y10S 257/901
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
257Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
901MOSFET substrate bias
Déposants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • MAIER, Reinhard [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ZIERHUT, Hermann [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MITLEHNER, Heinz [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MAIER, Reinhard
  • ZIERHUT, Hermann
  • MITLEHNER, Heinz
Données relatives à la priorité
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) WECHSELSTROMSTELLER
(EN) A.C. CONTROLLER
(FR) REGULATEUR DE COURANT ALTERNATIF
Abrégé
(DE)
Wechselstromsteller, der zumindest mit zwei antiseriellen Halbleiterbereichen (1; 2) arbeitet. Jeder Halbleiterbereich (1; 2) hat Elektronenspender (3; Source), Elektronensammler (4; Drain) und den Elektronenfluß steuernde Elektrode (5; Gate) bei Kennlinien, wie sie FETs aufweisen. Technologiegebunden weist der Halbleiterbereich auch innere Bodydioden auf. Es ist vorgesehen, daß jeweils am Halbleiterbereich (1; 2) in Durchlaßrichtung die Gate-Source-Spannung (6; 7) so groß eingestellt ist, daß sich eine gewünschte Begrenzung des Drain-Source-Stromes einstellt. Am Halbleiterbereich in Inversbetrieb (2; 1) ist die Gate-Source-Spannung (7; 6) so groß eingestellt, daß die Bodydiode (8) noch stromlos ist.
(EN)
The invention pertains to an a.c. controller that works with at least two antiserial semiconductor regions (1, 2). Each semiconductor region (1, 2) has electron donor (3; source), electron acceptor (4; drain) and electron-flow control electrode (5; gate) with characteristic curves like those of FETs. As essential technology the semiconductor region also has internal body diodes. The invention provides that in each case the gate-source voltage (6; 7) over the semiconductor region (1; 2) in the forward direction is set large enough that the desired limitation of the drain-source current is generated. The gate-source voltage (7; 6) over the semiconductor region in the inverse direction of operation (2; 1) is set large enough that the body diode (8) remains currentless.
(FR)
Régulateur de courant alternatif fonctionnant au moins avec deux régions semi-conductrices antisérielles (1; 2). Chaque région semi-conductrice (1; 2) présente un donneur d'électrons (3; source), un collecteur d'électrons (4; drain) et l'électrode contrôlant le flux électronique (5; grille), avec des courbes caractéristiques identiques à celles des FET. Technologiquement, la région semi-conductrice présente également des diodes internes de substrat. Il est prévu que dans chaque région semi-conductrice (1; 2), la tension grille-source (6; 7) dans le sens de conduction soit établie à une grandeur telle qu'il s'instaure une limitation voulue du courant drain-source. Dans la région semi-conductrice en mode inverse (2; 1), la tension grille-source (7; 6) est réglée à une grandeur telle que la diode de substrat (8) soit encore sans courant.
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