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1. WO1995007570 - LIMITEUR DE COURANT

Numéro de publication WO/1995/007570
Date de publication 16.03.1995
N° de la demande internationale PCT/DE1993/000824
Date du dépôt international 08.09.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 03.08.1994
CIB
H02H 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
HCIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
9Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
02sensibles à un excès de courant
H03K 17/082 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
CPC
H02H 9/025
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
9Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
02responsive to excess current
025Current limitation using field effect transistors
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 17/6874
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6871the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
6874in a symmetrical configuration
Déposants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • RÖSCH, Helmut [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ZIERHUT, Hermann [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • RÖSCH, Helmut
  • ZIERHUT, Hermann
Données relatives à la priorité
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) STROMBEGRENZER
(EN) CURRENT LIMITING DEVICE
(FR) LIMITEUR DE COURANT
Abrégé
(DE)
Zum Begrenzen von Überströmen mittels eines Halbleiterelements (1) mit mindestens einem steuerbaren Halbleiter (3) mit Elektronenquelle (Source), Elektronensammler (Drain) und den Elektronenfluß steuernder Steuerelektrode (Gate), der Kennlinien nach Art eines Feldeffekttransistors (FET;3) aufweist. Im Fall von Wechselspannung werden zwei FETs antiseriell geschaltet. Es sind Mittel vorgesehen zur internen Gewinnung der zur Ansteuerung des Halbleiterelements (1) erforderlichen Steuerspannung aus zumindest einem Teil des Laststroms und/oder aus zumindest einem Teil des Spannungsfalls am Halbleiterelement.
(EN)
The invention relates to a device for limiting overload currents using a semiconductor element (1) with at least one controllable semiconductor (3) with electron source (source), electron acceptor (drain) and electron-flow control electrode (gate) that has characteristic curves typical of a field effect transistor (FET;3). In the case of alternating voltage, two FETs are connected antiserially. Means are provided so that the control voltage needed to drive the semiconductor element (1) can be derived internally from at least a part of the load current and/or from at least a part of the voltage drop over the semiconductor element.
(FR)
Limiteur de courant destiné à limiter des surintensités au moyen d'un élément semi-conducteur (1) comprenant au moins un semi-conducteur contrôlable (3) comportant une source d'électrons (source), un collecteur d'électrons (drain) et l'électrode de commande contrôlant le flux électronique (grille), présentant des courbes caractéristiques du type d'un transistor à effet de champ (FET;3). Dans le cas d'une tension alternative, deux FET sont branchés de façon antisérielle. Des moyens sont prévus pour l'obtention interne de la tension nécessaire pour l'excitation de l'élément semi-conducteur (1) à partir d'au moins une partie du courant de charge et/ou au moins d'une partie de la chute de tension au niveau de l'élément semi-conducteur.
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