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1. WO1994006150 - PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA A DES PRESSIONS ELEVEES

Numéro de publication WO/1994/006150
Date de publication 17.03.1994
N° de la demande internationale PCT/US1993/008202
Date du dépôt international 31.08.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 01.03.1994
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/32357
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32357Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Déposants
  • THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL [US]/[US] (AllExceptUS)
  • HOOKE, William, M. [US]/[US] (UsOnly)
  • BOZEMAN, Steven, P. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • HOOKE, William, M.
  • BOZEMAN, Steven, P.
Mandataires
  • SIBLEY, Kenneth, D.
Données relatives à la priorité
939,01002.09.1992US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PLASMA PROCESSING AT HIGH PRESSURES
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA A DES PRESSIONS ELEVEES
Abrégé
(EN)
A method for plasma processing includes using a relatively high magnetic field and a relatively high pressure to create a first plasma region adjacent a window of a processing chamber having a lower radiation absorption and a second plasma region adjacent a substrate holder having a higher radiation absorption. Accordingly, a cooler plasma region is created adjacent the window to prevent contaminants from being etched from the window and adjacent chamber surface, and hotter plasma region is created adjacent the substrate to increase the processing rate. Additionally, the relatively high pressure of the processing gas, preferably greater than about 10 Torr and more preferably greater than about 100 Torr, increases the density of the plasma thereby increasing the processing rate. Alternatively, a high magnetic field and a high pressure create a radiation absorption region which is on the order of centimeters thick, for example 5-10 centimeters thick. Preferably, a uniform magnetic field creates uniform absorption in the absorption region.
(FR)
Procédé de traitement au plasma qui consiste à utiliser un champ magnétique relativement puissant et une pression relativement élevée pour créer une première région de plasma adjacente à la fenêtre d'une chambre de traitement à faible absorption du rayonnement et une seconde région de plasma adjacente à un support de substrat à absorption plus élevée du rayonnement. En conséquence, une région de plasma plus froide est créée à proximité de la fenêtre de façon à empêcher des contaminants d'être détachés de la surface de la fenêtre et de la chambre adjacente, et une région de plasma plus chaude est créée à proximité du substrat pour augmenter la vitesse de traitement. De plus, la pression relativement élevée du gaz de traitement, de préférence supérieure à 10 Torr de plus grande préférence encore supérieure à 100 Torr, augmente la densité du plasma, accélérant ainsi la vitesse de traitement. Alternativement, un champ magnétique puissant et une haute pression créent une région d'absorption du rayonnement dont l'épaisseur est de l'ordre de plusieurs centimètres, par exemple 5 à 10 centimètres. De préférence, un champ magnétique uniforme crée une absorption uniforme dans la région d'absorption.
Également publié en tant que
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