The invention can be used in the production of electron beam tubes. The fundamental problem addressed by the invention is that of enhancing the efficiency and power of electron beam tubes while reducing the quantity of X-rays emitted by them. The problem is solved according to the invention by providing the tube with an electroconductive base (9) on which is mounted a semiconductor layer (6), and an element (12) by which the surface of the laser target facing the electron gun (2) is electrically connected to the base (9), the electron gun (2) and associated control system being configured obliquely to the semitransparent reflecting layer (5) at an angle $g(g) « 56°-$g(a), where: $g(g) = the angle between the axis of the electron gun (2) and the perpendicular to layer (6); $g(a) = the angle between the axis of the electron gun (2) and a line connecting the centre of deflection of the beam with the point on the layer (6) furthest from said centre of deflection.

On peut utiliser l'invention dans la production de tubes à faisceau d'électrons. Le problème fondamental que traite l'invention est celui de l'amélioration du rendement et de la puissance de tubes à faisceau d'électrons, et la réduction de la quantité de rayons X qu'ils émettent. L'invention résoud le problème à l'aide d'un tube présentant une base électroconductrice (9) sur laquelle est montée une couche d'un matériau semiconducteur (6), et un élément (12) à l'aide duquel la surface de la cible du laser tournée vers le canon à électrons (2) est reliée électriquement à la base (9), le canon à électrons (2) et le système de commande associé étant configurés de manière oblique par rapport à la couche semi-transparente réfléchissante (5) à un angle $g(g) « 56°-$g(a), $g(g) représentant l'angle entre l'axe du canon à électrons (2) et la perpendiculaire à la couche (6), $g(a) représentant l'angle entre l'axe du canon à électrons (2) et une ligne reliant le centre de déflexion du faisceau au point situé sur la couche (6) le plus éloigné dudit centre de déflexion.