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1. (WO1993019571) SYSTEME DE CARACTERISATION DES PROPRIETES D'UN PLASMA DE TRAITEMENT A COURANT ALTERNATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019571 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002444
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 18.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 18.10.1993
CIB :
H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
Déposants :
ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC. [US/US]; 1600 Prospect Parkway Fort Collins, CO 80525, US (AllExceptUS)
HECKMAN, Randy, L. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
HECKMAN, Randy, L.; US
Mandataire :
SANTANGELO, Luke, R.; 315 West Oak Street Suite 701 Fort Collins, CO 80521, US
Données relatives à la priorité :
07/854,80419.03.1992US
Titre (EN) SYSTEM FOR CHARACTERIZING AC PROPERTIES OF A PROCESSING PLASMA
(FR) SYSTEME DE CARACTERISATION DES PROPRIETES D'UN PLASMA DE TRAITEMENT A COURANT ALTERNATIF
Abrégé :
(EN) Probe (5) to be inserted in-line in an AC plasma processing system (3) allows accurate, real time determination of plasma parameters such as power and complex impedance over a broad dynamic range. Any need to know power output from a source is avoided and signals are selected to optimize accuracy such that only two alternating signals need be sensed for many applications. Signals are selected such that magnitudes of simple alternating signals can be easily measured as scalar values in a fashion that affords the use of these values to completely characterize the power actually delivered to the processing plasma (2) and its complex impedance in real time. Plasma characterization can be limited to only specific frequencies for more accurate determination. Microstrip directional couplers are used to sense signals from the power transmission. These signals are then utilized to derive simple alternating signals representative of power or voltage. Three or more scalar values representative of the magnitude of the alternating signals and their combination serve as the variable inputs to determine complex reflection coefficient or impedance using known formulas. Use of a sign bit detector or assumptions with respect to the processing plasma (2) is disclosed for complete characterization of the plasma in an efficient manner.
(FR) L'invention concerne une sonde (5) à insérer en ligne dans un système de traitement à plasma à courant alternatif (3), qui permet d'évaluer précisément et en temps réel certaines caractéristiques d'un plasma telles que la puissance et l'impédance complexe dans une dynamique à large bande. Pour ce faire, il n'est pas nécessaire de connaître la puissance de sortie d'une source, et les signaux sont sélectionnés afin d'obtenir une précision optimale, pour que les amplitudes des signaux alternatifs simples puissent être faciles à mesurer en tant que valeurs scalaires et pour que ces valeurs puissent être utilisées pour caractériser de manière complète et en temps réel la puissance réellement envoyée dans le plasma de traitement (2) ainsi que l'impédance complexe de ce dernier. La caractérisation du plasma peut être limitée à des fréquences spécifiques afin de permettre une évaluation plus précise. Des coupleurs directifs microrubans sont utilisés pour détecter les signaux en provenance du dispositif de transmission d'énergie. Ces signaux sont ensuite utilisés pour dériver des signaux alternatifs représentatifs de la puissance et de la tension. Au moins trois valeurs scalaires représentatives de l'amplitude des signaux alternatifs et de leur combinaison servent de données variables pour déterminer le coefficient de réflexion ou l'impédance au moyen de formules connues. Un procédé efficace de caractérisation complète du plasma au moyen d'un détecteur de bits de signes ou au moyen d'hypothèses concernant le plasma de traitement (2) est également décrit.
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0631711JPH07505973