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1. (WO1993019486) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE A SEMICONDUCTEURS A TRANCHEE ISOLANTE REMPLIE DE POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019486 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002530
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 19.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.10.1993
CIB :
H01L 21/32 (2006.01) ,H01L 21/763 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
32
en utilisant des masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
763
Régions polycristallines semi-conductrices
Déposants :
HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 W. Nasa Blvd. Melbourne, FL 32905, US
Inventeurs :
GAUL, Stephen, Joseph; US
HEMMENWAY, Donald, Frank; US
Mandataire :
WANDS, Charles, E.; Evenson, Wands, Edwards, Lenahan & McKeown 5240 Babcock St., NE Suite 306 Palm Bay, FL 32905, US
Données relatives à la priorité :
07/854,80519.03.1992US
Titre (EN) METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT WITH POLYSILICON-FILLED TRENCH ISOLATION
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE A SEMICONDUCTEURS A TRANCHEE ISOLANTE REMPLIE DE POLYSILICIUM
Abrégé :
(EN) A process of manufacturing a trench-isolated semiconductor structure comprises forming a first 'pad' (e.g. MOS gate) oxide layer on a first surface of a silicon substrate. An oxide etch protective layer of silicon nitride is selectively formed on a first portion of the pad oxide layer so as to overlie a first surface portion of the silicon substrate in which active device regions will be introduced. A second oxide layer is then deposited on the pad oxide layer and on the nitride layer. The dual oxide layer is then patterned to form a trench mask which exposes a second surface portion of the silicon substrate. An etchant is then applied to the structure so as to etch away material from the silicon substrate exposed by the second surface portion and a portion of the second oxide layer, thereby forming a trench in the second surface portion of the silicon substrate. After any remaining portion of the second oxide layer is removed, local oxidation of the structure is perfomed so as to form a third oxide layer in the trench and a field oxide at surface portions of the substrate adjacent to the nitride layer. A layer of polysilicon is non-selectively deposited over the entire structure to fill the oxide-lined trench and then polished down to the nitride layer which serves as a polishing stop. The nitride is then stripped off the pad oxide in preparation for device region processing.
(FR) Procédé de fabrication d'une structure à semi-conducteurs isolée au moyen de tranchée et comprenant la constitution d'une première couche d'oxyde sous forme d'une pastille (par exemple, une porte MOS) sur une première surface d'un substrat de silicium. On forme sélectivement une couche de protection d'attaque d'oxyde en nitrure de silicium sur une première partie de la couche d'oxyde en pastille, de façon à recouvrir une première partie de surface du substrat de silicium, dans laquelle on introduira les régions actives du dispositif. On dépose ensuite une deuxième couche d'oxyde sur la couche d'oxyde en pastille, ainsi que sur la couche de nitrure. On traite ensuite la configuration de la double couche d'oxyde, de façon à constituer un masque à tranchée exposant une deuxième partie de surface du substrat de silicium. On applique ensuite un réactif d'attaque à la structure, de façon à retirer du matériel du substrat de silicium exposé par la deuxième partie de surface et par une partie de la deuxième couche d'oxyde, ce qui crée une tranchée dans la deuxième partie de surface du substrat de silicium. Après suppression de toutes parties restantes de la deuxième couche d'oxyde, on effectue l'oxydation locale de la structure, de façon à constituer une troisième couche d'oxyde dans la tranchée et un oxyde épais sur des parties de surface du substrat situées en position contigüe à la couche de nitrure. On dépose de façon non sélective une couche de polysilicium au dessus de la totalité de la structure, de manière à remplir la tranchée recouverte d'oxyde et on polit ladite couche de polysilicium jusqu'à la couche de nitrure, laquelle sert de barrière de polissage. On extrait ensuite le nitrure de la pastille d'oxyde, dans le but de préparer le traitement des régions du dispositif.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)