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1. WO1993018553 - PROCEDE DE REDUCTION DE LA RESISTANCE POUR MATERIAU ANTIFUSION PROGRAMME

Numéro de publication WO/1993/018553
Date de publication 16.09.1993
N° de la demande internationale PCT/US1992/001756
Date du dépôt international 06.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.10.1993
CIB
G11C 17/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
17Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main
14dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM
16utilisant des liaisons électriquement fusibles
H01L 23/525 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
CPC
G11C 17/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
H01L 23/5252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5252comprising anti-fuses, i.e. connections having their state changed from non-conductive to conductive
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • INSTANT CIRCUIT CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • ROESNER, Bruce, B.
Mandataires
  • DAWES, Daniel, L.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR REDUCING RESISTANCE FOR PROGRAMMED ANTIFUSE
(FR) PROCEDE DE REDUCTION DE LA RESISTANCE POUR MATERIAU ANTIFUSION PROGRAMME
Abrégé
(EN)
A Read-Only Memory is comprised of a plurality of memory cells. An antifuse film (2) is disposed between and in contact with an underlying heavily N-doped word line layer (4) and an overlying metallic address line layer (6). The word line is disposed on an insulating semiconductor substrate (8) and is in contact with a surrounding oxide layer (10). The programmable material is irreversibly configured between the two resistivity states by application of a threshold voltage. The threshold voltage alters the electrical state of the programmable material only in the proximity of that portion of the programmable material to which the threshold voltage has been applied. The resistivity of the low resistivity state is selectively decreased by implanting nonactivated conductive dopants into film. These dopants are characterized by having a nonactivated state where the conduction of carriers in the film is not enhanced. The dopants are configured from the nonactivated state into the activated state by application of the same threshold voltage that is applied across the antifuse film to program the material.
(FR)
Une mémoire morte se compose d'une pluralité de cellules de mémoire. Un film antifusion (2) est intercalé en contact entre une couche de ligne de mots sous-jacente à fort dopage N (4) et une couche métallique de ligne d'adresse (6) située au-dessus. La ligne de mots est disposée sur un substrat semi-conducteur isolant (8) et est en contact avec une couche d'oxyde environnante (10). Le matériau programmable est configuré de manière irréversible entre les deux états de résistivité par l'application d'une tension de seuil. Cette tension de seuil ne modifie l'état électrique du matériau programmable qu'à proximité de la zone où l'on a appliqué la tension de seuil. La résistivité de l'etat de faible résistivité est diminuée sélectivement par l'implantation de dopants conducteurs non activés dans le film. Ces dopants se caractérisent par le fait qu'ils présentent un état non activé dans lequel la conduction de porteurs dans le film n'est pas améliorée. Ces dopants passent de l'état non activé à l'état activé à la suite de l'application de la même tension de seuil qui est appliquée à travers le film antifusion pour programmer le matériau.
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