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1. WO1993018412 - CIRCUIT DE DETECTION POUR UNE MEMOIRE A GRILLE FLOTTANTE

Numéro de publication WO/1993/018412
Date de publication 16.09.1993
N° de la demande internationale PCT/US1993/001663
Date du dépôt international 24.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 04.10.1993
CIB
G11C 16/28 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
28utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p.ex. des cellules factices
CPC
G11C 16/28
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
28using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
Déposants
  • SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • WANG, Ping
Mandataires
  • YIN, Ronald, L.
Données relatives à la priorité
07/851,47713.03.1992US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A SENSING CIRCUIT FOR A FLOATING GATE MEMORY DEVICE
(FR) CIRCUIT DE DETECTION POUR UNE MEMOIRE A GRILLE FLOTTANTE
Abrégé
(EN)
A sensing circuit for a floating gate memory device (12) is disclosed. The sensing circuit has a first voltage amplifier (20) which generates a first output voltage, and a first current amplifier (22) which receives the first output voltage and generates a first output current in response thereto. The first voltage amplifier has a control transistor which generates a first output voltage in response to the memory device being in one state and a second output voltage in response to the memory device being in another state. The circuit also comprises a dummy cell (14), a second voltage amplifier (24) connected thereto for generating a second output voltage. A second current amplifier (26) receives the second output voltage and generates a second output current in response thereto. A comparator receives the first and second output currents, compares them, and generates an output indicative of the state of the memory device.
(FR)
Un circuit de détection pour une mémoire (12) à grille flottante est décrit. Le circuit de détection comprend un premier amplificateur de tension (20) qui génère une première tension de sortie, et un premier amplificateur (22) de courant qui reçoit la première tension de sortie et génère un premier courant de sortie en réponse à cette dernière. Le premier amplificateur de tension comprend un transistor de commande qui génère une première tension de sortie en réponse à un état présenté par la mémoire, et une seconde tension de sortie en réponse à un autre état présenté par la mémoire. Le circuit comprend également une cellule fictive (14) et un second amplificateur de tension (24) qui y est connecté pour générer une seconde tension de sortie. Un second amplificateur de courant (26) reçoit la seconde tension de sortie et génère un second courant de sortie en réponse à cette dernière. Un comparateur reçoit les premier et second courants de sortie, les compare, et génère un signal de sortie indiquant l'état de la mémoire.
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