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1. (WO1993018203) PROCEDE POUR RECOUVRIR DU CARBONE RENFORCE PAR FIBRES DE CARBONE
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P atentan s pr üc h e

1. Verfahren zum Beschichten von kohlenstoffaserverstärktem Kohlen- stoff mit zumindest einer Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem kohlenstoffaserverstärktem Kohlenstoff eine Haftmittlerschicht aus amorphem SiNx aufgebracht wird, auf die ihrerseits die bei einer Temperatur T>400'C oxidationsbeständige Schicht als Schutzschicht aus Siliziumverbindungen aufgetragen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Schutzschicht kristallines Sι*3N4 aufgetragen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Schutzschicht amorphes SiNx oder Siθ oder eine Kombination dieser mit kristallinem Si3 4 aufgetragen wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß vor Aufbringen der Haftmittlerschicht der kohlenstoffaserversatärkte Kohlenstoff gereinigt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der kohlenstoffverstärkte Kohlenstoff mit einem aus Edelgas onen nie i Argonionen bestehenden Plasma vorzugsweise bei einer Temperatur
oberhalb 200"C und vorzugsweise einem Druck 1 x 102mbar
gereinigt wird.

5 6. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,


dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma ein mikrowellenangeregtes
Plasma verwendet wird.

7. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, 10 dadurch gekennzeichnet, daß der kohlenstoffaserverstärkte
Kohlenstoff an einem elektrischen Potential (BIAS) von mindestens
20 V, vorzugsweise von zumindest 60 V bis 150 V anliegt.

8. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, 15 dadurch gekennzeichnet, daß das Abscheiden der Haftmittlerschicht mit einem Mikrowellen-Multipolarplas a (DECR-Plasma)
erfolgt.

9. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, 20 dadurch gekennzeichnet, daß die kristallines Siliziumnitrid
enthaltende Schutzschicht unter oder im wesentlichen unter
Vermeidung stabiler Diimide abgeschieden wird.

10. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, 25 dadurch gekennzeichnet, daß das Abscheiden der Schutzschicht
nach dem CVD-Verfahren bei Unterdruck erfolgt.

11. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Abscheiden der kristallinen
30 Sι'3N4-Schicht als Prozeßgase Dichlorsilan und Ammoniak im
Verhältnis von 1:2 bis 1:8, vorzugsweise 1:5 benutzt werden, wobei
als Trägergas Wasserstoff dient.

12. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

35 dadurch gekennzeichnet, daß die kristalline Si3N4-Schic.it bei einem Druck von weniger als 5 hPa und vorzugsweise bei einer Temperatur von 1.000'C bis 1.100'C abgeschieden wird.

13. Verfahren nacϊϊ zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Abscheiden der Schutzschicht auf dem kohlenstoffaserverstärkten Kohlenstoff in einem Reaktionsraum erfolgt, der vor Abscheiden der Schutzschicht mit einem H2/HC1-Gasgemisch gereinigt wird.

14. Kohlenstoffaserverstärkter Kohlenstoff, insbesondere zur Verwendung als Werkstoff für die Luft und Raumfahrttechnik, dadurch gekennzeichnet, daß der kohlenstoffaserverstärkte Kohlenstoff eine außenseitige kristalline Si3N4-Schic.1t aufweist, die auf einer auf den kohlenstoffaserverstärkten Kohlenstoff aufgetragenen Haftmittlerschicht unter Ausschluß von stabilen Dünnden aufgetragen ist.