WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1993009558) EMETTEUR DE CHAMP ELECTRONIQUE A GRILLE, AUTO-ALIGNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/009558    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/007488
Date de publication : 13.05.1993 Date de dépôt international : 04.09.1992
CIB :
H01J 3/02 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. [US/US]; 290 West Mount Pleasant Avenue, Livingston, NJ 07039-2729 (US)
Inventeurs : BAGLEY, Brian, G.; (US).
MARCUS, Robert, Boris; (US).
RAVI, Tirunelveli, Subramaniam; (US)
Mandataire : WINTER, Richard, C.; PCT International, Inc., Post Office Box 573, New Vernon, NJ 07976 (US)
Données relatives à la priorité :
789,747 08.11.1991 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED GATED ELECTRON FIELD EMITTER
(FR) EMETTEUR DE CHAMP ELECTRONIQUE A GRILLE, AUTO-ALIGNE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a self-aligned gated electron field emitter. An oxidation process forms an optimized, atomically sharp needle (18) in a silicon substrate (12). The needle and surrounding planar area is conformally coated with silicon dioxide (22). A dielectric layer (24) is deposited and planarized over the needle. The dielectric layer is partially etched away to expose the coated needle. The exposed silicon dioxide needle is isotropically etched so as to undercut the dielectric layer. A gate metal is directionally deposited so as to form a gate layer (26) on the planar portions of the dielectric layer that is electrically isolated from the gate metal (28) deposited on the needle. The metal on the needle is anodically etched by applying the potential only to the silicon and not to the gate layer. Electro-plating may recoat the needle with another metal (30). The silicon substrate may be replaced by a glass substrate (42) on which is deposited a polysilicon or amorphous silicon layer (40).
(FR)Procédé de fabrication d'un émetteur de champ électronique à grille, auto-aligné. Un procédé d'oxydation permet de produire une pointe optimalisée et dont l'extrémité aiguë est de l'ordre atomique (18), dans un substrat de silicium (12). La pointe et la région plane environnante sont recouvertes d'une couche de dioxyde de silicium (22) qui en épouse la forme. Une couche diélectrique (24) est déposée et aplanie sur la pointe. Cette couche diélectrique est partiellement enlevée par attaque chimique de façon à exposer la pointe recouverte. La pointe en dioxyde de silicium exposée est attaquée de façon isotrope pour couper par le bas la couche diélectrique. Un métal pour grille est déposé de façon directionnelle pour former sur les parties planes de la couche diélectrique, une couche grille (26) électriquement isolée par rapport au métal pour grille (28) déposé sur la pointe. Le métal sur la pointe est soumis à une attaque anodique effectuée par l'application du potentiel uniquement sur le silicium et non sur la couche grille. L'on peut réappliquer une couche d'un autre métal (30) sur la pointe par galvanoplastie. Le substrat de silicium peut être remplacé par un substrat de verre (42) sur lequel est déposé une couche de polysilicium ou de silicium amorphe (40).
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)