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1. WO1992019797 - PROCEDE DE TIRAGE DE CRISTAL UNIQUE

Numéro de publication WO/1992/019797
Date de publication 12.11.1992
N° de la demande internationale PCT/JP1991/001790
Date du dépôt international 27.12.1991
CIB
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C30B 15/20 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20Commande ou régulation
CPC
C30B 15/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14Heating of the melt or the crystallised materials
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Y10T 117/1004
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1004with means for measuring, testing, or sensing
Y10T 117/1068
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1068including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Y10T 117/1072
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1072including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Déposants
  • MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • MITSUBISHI MATERIALS SILICON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • WAKABAYASHI, Daisuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • ANBE, Toshio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SAITOH, Masao [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • WAKABAYASHI, Daisuke
  • ANBE, Toshio
  • SAITOH, Masao
Mandataires
  • SHIGA, Masatake
Données relatives à la priorité
3/12544426.04.1991JP
3/13804810.06.1991JP
3/9932930.04.1991JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE TIRAGE DE CRISTAL UNIQUE
Abrégé
(EN)
A process for pulling up single crystals of silicon by the growth of the single crystals from molten silicon in a crucible by the Czochralski process, wherein the single crystals are pulled up while sensing the data regarding various conditions which affect the pulling process and comparing them with the present values or allowances regarding these conditions.
(FR)
Procédé de tirage de cristaux uniques de silicium utilisant la croissance des cristaux uniques, à partir de silicium fondu dans un creuset, ledit procédé étant lui-même fondé sur le procédé de Czochralski, selon lequel les cristaux uniques sont tirés tandis que des données relatives au différentes conditions affectant le procédé de tirage sont surveillées et comparées avec les valeurs prédéterminées ou les limites admises concernant lesdites conditions.
Également publié en tant que
FI20040787
FI925866
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