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1. WO1992017899 - LOCALISATION D'UN FAISCEAU D'ENERGIE

Numéro de publication WO/1992/017899
Date de publication 15.10.1992
N° de la demande internationale PCT/US1992/002700
Date du dépôt international 03.04.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.10.1992
CIB
H01J 37/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
304Commande des tubes par une information en provenance des objets, p.ex. signaux de correction
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
H01J 2237/3175
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
3175Lithography
H01J 37/3045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
304Controlling tubes by information coming from the objects ; or from the beam; , e.g. correction signals
3045Object or beam position registration
H01J 37/3174
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Déposants
  • MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US]/[US]
Inventeurs
  • SMITH, Henry, I.
  • ANDERSON, Erik, H.
  • SCHATTENBURG, Mark, L.
Mandataires
  • FEIGENBAUM, David, L.
Données relatives à la priorité
681,58005.04.1991US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ENERGY BEAM LOCATING
(FR) LOCALISATION D'UN FAISCEAU D'ENERGIE
Abrégé
(EN)
A method of monitoring the travel of a beam (70) of energy on a substrate (10) having a fiducial pattern (90) rigidly fixed relative to the substrate (10), the pattern (90) embracing an area (80) where the beam (70) can create a useful image with submicron precision. The method includes: adjusting the beam (70) such that the dose delivered by the beam (70) is sufficiently high to generate a signal produced by the interaction of the beam (70) and the fiducial pattern (90), the signal being representative of the relative position of the fiducial pattern (90) and the travel, the dose being sufficiently low so that the area of the substrate (10) over which the beam (70) passes remains receptive to subsequent creation, with submicron precision of a useful image; moving the beam (70) across the substrate (10); detecting the signal produced by the interaction of the beam (70) with the fiducial pattern (90); and comparing the detected signal with a predetermined signal to provide a position signal representative of the beam (70) travel with submicron precision.
(FR)
Méthode de surveillance du déplacement d'un faisceau (70) d'énergie sur un substrat (10) ayant une configuration de référence (90) fixée de manière rigide par rapport au substrat (10), ladite configuration (90) occupant une zone (80) dans laquelle le faisceau (70) peut créer une image utile d'une précision inférieure au micron. Ladite méthode consiste à régler le faisceau (70) de manière à ce que la dose délivrée par le faisceau (70) soit suffisamment importante pour générer un signal produit par l'interaction du faisceau (70) et de la configuration de référence (90), le signal étant représentatif de la position relative de la configuration de référence (90) et du déplacement, la dose étant suffisamment faible pour que la zone du substrat (10) sur laquelle passe le faisceau (70) reste réceptive à la création ultérieure, d'une précision inférieure au micron, d'une image utile; à déplacer le faisceau (70) sur le substrat (10); à détecter le signal produit par l'interaction du faisceau (70) avec la configuration de référence (90) et à comparer le signal détecté avec un signal prédéterminé pour obtenir un signal de position représentatif du déplacement du faisceau (70), d'une précision inférieure au micron.
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