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1. WO1992017886 - CIRCUIT DE DETECTION DE TENSION BASSE PUISSANCE

Numéro de publication WO/1992/017886
Date de publication 15.10.1992
N° de la demande internationale PCT/US1992/001938
Date du dépôt international 09.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.10.1992
CIB
G01R 19/165 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
19Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
165Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
G11C 16/22 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
22Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire
G11C 16/30 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
30Circuits d'alimentation
CPC
G01R 19/165
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
19Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
G11C 16/225
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
22Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
225Preventing erasure, programming or reading when power supply voltages are outside the required ranges
G11C 16/30
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
Déposants
  • SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • JENQ, Ching, S.
Mandataires
  • YIN, Ronald, L.
Données relatives à la priorité
677,29729.03.1991US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW POWER VOLTAGE SENSING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE DETECTION DE TENSION BASSE PUISSANCE
Abrégé
(EN)
A voltage sensing circuit (10) using a pmos transistor (14) to provide a sensing signal at sensing node (15) which is applied to a driver circuit (60) to produce a desired output voltage signal (13).
(FR)
Circuit de détection de la tension (10) utilisant un transistor mos à canal P (14) pour fournir un signal de détection à un n÷ud sensible (15) qui est appliqué à un circuit de commande (60) afin de produire un signal de tension de sortie désirée (13).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international