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1. WO1992014258 - APPAREIL DE DEPOT ET D'ATTAQUE PAR PLASMA DE FORTE DENSITE

Numéro de publication WO/1992/014258
Date de publication 20.08.1992
N° de la demande internationale PCT/US1992/000976
Date du dépôt international 04.02.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.08.1992
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
H01J 37/3222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
3222Antennas
H01J 37/3266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
H01J 37/32688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
32688Multi-cusp fields
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • PLASMA & MATERIALS TECHNOLOGIES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • CAMPBELL, Gregor, A.
  • CONN, Robert, W.
  • PEARSON, David, C.
  • DECHAMBRIER, Alexis, P.
  • SHOJI, Tatsuo
Mandataires
  • HAMRE, Curtis, B.
  • SCHUMANN, Michael, D.
Données relatives à la priorité
650,78804.02.1991US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH DENSITY PLASMA DEPOSITION AND ETCHING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE DEPOT ET D'ATTAQUE PAR PLASMA DE FORTE DENSITE
Abrégé
(EN)
A high density ionized plasma is generated in a source chamber (10') using a single loop antenna (12') disposed in a plane that intercepts the central axis of the source chamber perpendicularly or at a lesser angle and spaced from the closed end of the chamber. With a longitudinal magnetic field and an inert or reactive gas injected into the source chamber, excitation of the antenna with RF energy in the 5 to 30 MHz establishes the M=0 excitation mode or components of both the M=0 and M=1 modes. Low frequency whistler waves are created which generate a uniform and high density plasma and high plasma current. The plasma source thus defined is used in combination with process chamber configurations in which static shaped or time modulated magnetic fields enhance the distribution and uniformity of the plasma at a substrate to be etched, deposited or sputtered.
(FR)
Dans l'appareil décrit, un plasma ionisé de forte densité est généré dans une chambre source (10') grâce à l'utilisation d'une antenne à boucle simple (12') disposée dans un plan qui coupe l'axe central de la chambre source selon un angle perpendiculaire ou selon un angle plus petit par rapport à l'extrémité fermé de ladite chambre et à distance de ladite extrémité. Conjointement à un champ magnétique longitudinal et à un gaz inerte ou réactif injecté dans la chambre source, on utilise l'excitation de l'antenne au moyen d'une énergie à haute fréquence comprise entre 5 et 30 MHz pour établir le mode d'excitation M=0 ou des composantes des deux modes M=0 et M=1. Sont alors créées des ondes du type siffleurs à fréquence basse, qui génèrent un plasma uniforme et de forte densité ainsi qu'un fort courant de plasma. La source de plasma ainsi définie est utilisée combinée à des configurations de chambre de traitement dans lesquelles des champs magnétiques de forme statique ou modulés dans le temps favorisent la répartition et l'uniformité du plasma sur un substrat devant être attaqué ou enduit par dépôt ou pulvérisation.
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