Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO1991007666 - CAPTEUR DE POTENTIEL UTILISANT UN CRISTAL ELECTRO-OPTIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE POTENTIEL

Numéro de publication WO/1991/007666
Date de publication 30.05.1991
N° de la demande internationale PCT/JP1990/001466
Date du dépôt international 13.11.1990
CIB
G01R 1/07 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
1Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes G01R5/-G01R13/125
02Éléments structurels généraux
06Conducteurs de mesure; Sondes de mesure
067Sondes de mesure
07Sondes n'établissant pas de contact
G01R 15/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
15Détails des dispositions pour procéder aux mesures des types prévus dans les groupes G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26191
14Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
24utilisant des dispositifs modulateurs de lumière
CPC
G01R 1/071
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
1Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
02General constructional details
06Measuring leads; Measuring probes
067Measuring probes
07Non-contact-making probes
071containing electro-optic elements
G01R 15/242
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
24using light-modulating devices
241using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
242based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
Déposants
  • DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TAKANO, Atsushi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • UTSUMI, Minoru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OBATA, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • TAKANO, Atsushi
  • UTSUMI, Minoru
  • OBATA, Hiroyuki
Mandataires
  • HIRUKAWA, Masanobu
Données relatives à la priorité
1/29436713.11.1989JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POTENTIAL SENSOR USING ELECTRO-OPTICAL CRYSTAL AND METHOD OF MEASURING POTENTIAL
(FR) CAPTEUR DE POTENTIEL UTILISANT UN CRISTAL ELECTRO-OPTIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE POTENTIEL
Abrégé
(EN)
A monolithic sensor (10) is constituted by epitaxially growing a high-resistance compound semiconductor (12) on a low-resistance compound semiconductor (11), and further forming a reflecting dielectric film (13) thereon. The low-resistance compound semiconductor (11) has a large band gap so that the probe light is not absorbed but passes therethrough. The semiconductor (11) has a lattice constant and a coefficient of thermal expansion close to those of the high-resistance compound semiconductor, and a resistivity of smaller than 10+1 ohm.cm so that it can also be used for an electrode. The high-resistance compound semiconductor (12) has a large band gap so that light of a short wavelength can be used, since a change in retardation increases with the decrease in the wavelength of the probe light. The semiconductor (12) has a large electro-optical constant and a resistivity of greater than 105 ohms.cm. Therefore, a sensor is constituted maintaining good workability and very high surface accuracy permitting less optical deterioration.
(FR)
On produit un capteur monolithique (10) par culture épitaxiale d'un semi-conducteur composite de résistance élevée (12) sur un semi-conducteur composite de faible résistance (11), et en formant ensuite un film diélectrique réfléchissant (13) sur lesdits semi-conducteurs. Le semi-conducteur composite de faible résistance (11) présente un intervalle de bande important, de sorte que la lumière servant de sonde n'est pas absorbée mais le traverse. Le semi-conducteur (11) présente une constante de réseau et un coefficient de dilatation thermique proches de ceux du semi-conducteur composite de résistance élevée, et une résistivité inférieure à 10+1 ohm.cm, de sorte qu'il peut également être utilisé pour réaliser une électrode. Le semi-conducteur composite de résistance élevée (12) présente un intervalle de bande important, ce qui permet d'utiliser une lumière de courte longueur d'onde, étant donné qu'une variation du retard augmente à mesure que diminue la longueur d'onde de la lumière servant de sonde. Le semi-conducteur (12) présente une constante électro-optique élevée et une résistivité supérieure à 105 ohm.cm. Ce procédé permet de réaliser un capteur présentant de bonnes caractéristiques d'usinage et une très grande précision de surface, assurant une détérioration optique moindre.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international