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1. WO1989006070 - AMPLIFICATEUR DE DARLINGTON A BLOCAGE RAPIDE

Numéro de publication WO/1989/006070
Date de publication 29.06.1989
N° de la demande internationale PCT/US1988/004480
Date du dépôt international 15.12.1988
CIB
H03K 17/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
04Modifications pour accélérer la commutation
CPC
H03K 17/0406
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
0406in composite switches
Déposants
  • SUNDSTRAND CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • SHEKHAWAT, Sampat, S.
  • DHYANCHAND, John, J.
  • HOROWY, John
Mandataires
  • LANYI, William, D.
Données relatives à la priorité
135,22621.12.1987US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DARLINGTON AMPLIFIER WITH HIGH SPEED TURNOFF
(FR) AMPLIFICATEUR DE DARLINGTON A BLOCAGE RAPIDE
Abrégé
(EN)
A Darlington-type amplifier (10) having an input field effect transistor and an output bipolar transistor (T2) is disclosed with improved turn-off time. Turnoff is enhanced by short-circuiting the gate-to-source or drain capacitance of the input field effect transistor (T1) and after turnoff is complete of the input field effect transistor prior to turn off of the output bipolar transistor (T2) coupling the base of the output bipolar transistor to a reference potential to discharge minority carriers therein to complete turnoff.
(FR)
Un amplificateur (10) de type darlington ayant un transistor d'entrée à effet de champ et un transistor bipolaire de sortie (T2) présente une durée améliorée de blocage. Afin d'améliorer le blocage, la capacitance de drain ou de grille-à-source du transistor d'entrée à effet de champ (T1) est court-circuitée, puis, une fois que le transistor d'entrée à effet de champ est complètement bloqué et avant que le transistor bipolaire de sortie (T2) ne soit bloqué, la base du transistor bipolaire de sortie est couplée à un potentiel de référence afin de décharger des porteurs minoritaires contenus dans celui-ci et d'obtenir un blocage total.
Également publié en tant que
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