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1. (WO1988004440) LECTURE OPTIQUE DE DISPOSITIF A PUITS QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1988/004440 N° de la demande internationale : PCT/US1987/003073
Date de publication : 16.06.1988 Date de dépôt international : 24.11.1987
CIB :
G02F 1/017 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY[US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventeurs : BAR-JOSEPH, Israel; US
CHANG, Tao-Yuan; US
CHEMLA, Daniel, Simon; US
MILLER, David, Andrew, Barclay; US
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 679 Holmdel, NJ 07733, US
Données relatives à la priorité :
937,38703.12.1986US
Titre (EN) OPTICAL READING OF QUANTUM WELL DEVICE
(FR) LECTURE OPTIQUE DE DISPOSITIF A PUITS QUANTIQUE
Abrégé :
(EN) Optical apparatus wherein narrow line width light from a source is directed through the substrate of a semiconductor structure and reflected from the gate electrode of a field effect transistor element fabricated on the surface of the semiconductor structure. A quantum well layer serves as the current channel for the field effect transistor, and charge carriers from a doped semiconductor layer provide high mobility carriers in the quantum well layer. Changes in the potential between the gate and source electrodes of the field effect transistor cause the normal pinchoff of carriers in the quantum well layer thereby causing changes in the absorption characteristic presented by the quantum well layer. By directing light from the source at the gate electrode through the substrate of the semiconductor structure, a photodetector can be positioned so as to detect a change in light which has passed twice through the quantum well layer, thereby detecting a change in the electrical state of the field effect transistor.
(FR) Appareil optique dans lequel de la lumière à largeur de ligne étroite provenant d'une source est dirigée à travers le substrat d'une structure semi-conductrice et réfléchie depuis l'électrode de porte d'un transistor à effet de champ façonné sur la surface de la structure semi-conductrice. Une couche à puits quantique sert de canal de courant au transistor à effet de champ, et des porteurs de charge provenant d'une couche de semi-conducteurs dopée fournissent des porteurs de mobilité élevée dans la couche à puits quantique. Des variations du potentiel entre les électrodes de porte et de source du transistor à effet de champ provoquent le pincement normal des porteurs dans la couche à puits quantique, provoquant ainsi des variations des caractèristiques d'absorption présentées par ladite couche. Le fait de diriger, à travers le substrat de la structure semi-conductrice, la lumière provenant de la source au niveau de l'électrode de porte permet de positionner un photodétecteur de manière à détecter une variation de la lumière qui a traversé deux fois la couche à puits quantique, et ainsi détecter une variation de l'état électrique du transistor à effet de champ.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)