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1. WO1988004106 - PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION DE TRANCHEES D'ISOLATION AUTOMATIQUEMENT ALIGNEES

Numéro de publication WO/1988/004106
Date de publication 02.06.1988
N° de la demande internationale PCT/US1987/003101
Date du dépôt international 24.11.1987
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76202
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76202using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
H01L 21/76235
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
76232of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls
76235trench shape altered by a local oxidation of silicon process step, e.g. trench corner rounding by LOCOS
Déposants
  • XICOR, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • YEH, Bing
  • GUTERMAN, Daniel, Charles
Mandataires
  • WATT, Phillip, H.
Données relatives à la priorité
934,39824.11.1986US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED TRENCH ISOLATION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION DE TRANCHEES D'ISOLATION AUTOMATIQUEMENT ALIGNEES
Abrégé
(EN)
An apparatus and method for forming a trench bounded region (78) isolating two areas on a semiconductor substrate. The trench intercepts the electric field lines which are generated by a potential difference between the two areas. The trench is filled with a silicon nitride compound (92) which has a thermal coefficient of expansion which substantially matches that of the silicon substrate (18). The location of the trench may be defined by a single mask which is also used to define the active and field isolation regions on the silicon substrate. Doping of the trench bottom (89) may be performed to enhance isolation. The process may be easily incorporated into existing VLSI fabrication processes.
(FR)
Un procédé et un appareil permettent de former une région (78) délimitée par une tranchée d'isolation de deux zones sur un substrat semiconducteur. La tranchée intercepte les lignes du champ électrique généré par une différence de potentiel entre les deux zones. La tranchée est remplie d'un composé de nitrure de silicium (92) ayant un coefficient de dilatation thermique qui correspond sensiblement à celui du substrat en silicium (18). L'emplacement de la tranchée peut être défini par un seul masque, utilisé pour définir également les régions actives et d'isolation de champ sur le substrat en silicium. On peut doper le fond (89) de la tranchée pour améliorer l'isolation. On peut incorporer facilement ce procédé à des procédés existants de fabrication à très grande échelle d'intégration.
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