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1. WO1988003919 - PATE DE TUNGSTENE POUR LE FRITTAGE COMBINE AVEC DE L'ALUMINE PURE ET PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/1988/003919
Date de publication 02.06.1988
N° de la demande internationale PCT/US1987/003124
Date du dépôt international 25.11.1987
CIB
C04B 41/51 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
41Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiques; Traitement de la pierre naturelle
45Revêtement ou imprégnation
50avec des substances inorganiques
51Métallisation
C04B 41/88 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
41Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiques; Traitement de la pierre naturelle
80de céramiques uniquement
81Revêtement ou imprégnation
85avec des substances inorganiques
88Métaux
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
H05K 1/09 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
09Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
H05K 3/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
46Fabrication de circuits multi-couches
CPC
C04B 41/5133
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
41After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
45Coating or impregnating
50with inorganic materials
51Metallising ; , e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
5133with a composition mainly composed of one or more of the refractory metals
C04B 41/88
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
41After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
80of only ceramics
81Coating or impregnation
85with inorganic materials
88Metals
H01L 23/49883
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49866characterised by the materials
49883the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2924/09701
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
095with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
H05K 1/092
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
1Printed circuits
02Details
09Use of materials for the ; conductive, e.g. ; metallic pattern
092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Déposants
  • CERAMICS PROCESS SYSTEMS CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • BARRINGER, Eric, A.
  • LIND, Rogers
  • HODGE, James, D.
  • FOSTER, Bryant, C.
Mandataires
  • SUNSTEIN, Bruce, D. @
Données relatives à la priorité
935,26426.11.1986US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TUNGSTEN PASTE FOR CO-SINTERING WITH PURE ALUMINA AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PATE DE TUNGSTENE POUR LE FRITTAGE COMBINE AVEC DE L'ALUMINE PURE ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(EN)
A tungsten paste suitable for co-sintering with 98+% alumina substrate can be produced by adding selected compositions of glass to the paste. Circuit packages produced in accordance with the present invention exhibit superior thermal conductivity, low shrinkage variability, and smoother and more homogeneous surface finish. A preferred embodiment of the invention utilizes a substrate comprising narrow size range alumina powder, thus yielding lower sintering temperature and further improvements in shrinkage variability and surface finish.
(FR)
Une pâte de tungstène indiquée pour le frittage combiné avec un substrat d'alumine à 98+% est produite par l'adjonction à la pâte de compositions de verre sélectionnées. Les modules de circuits produits grâce à l'application de ce procédé présentent une meilleure conductivité thermique, une faible variabilité de retrait et une surface plus lisse et homogène. Une forme préférée de réalisation utilise un substrat comprenant une poudre d'alumine de granulométrie à plage étroite, ce qui permet d'utiliser une plus faible température de frittage et d'améliorer ultérieurement la variabilité de retrait et l'état de la surface.
Également publié en tant que
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