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1. WO1987004026 - AMPLIFICATEUR A IMPEDANCE TRANSITOIRE MODULE PAR PORTE AVEC TAMPONNAGE POUR RESEAU DE PLANS FOCAUX

Numéro de publication WO/1987/004026
Date de publication 02.07.1987
N° de la demande internationale PCT/US1986/002750
Date du dépôt international 16.12.1986
CIB
H03F 3/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
04comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
08commandés par la lumière
H03K 17/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
78par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement
H03K 17/94 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
94caractérisée par la manière dont sont produits les signaux de commande
CPC
H03F 1/086
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
083in transistor amplifiers
086with FET's
H03F 1/223
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
22by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
223with MOSFET's
H03F 3/082
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
04with semiconductor devices only
08controlled by light
082with FET's
H03F 3/345
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
343with semiconductor devices only
345with field-effect devices
H03K 17/78
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
78using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Déposants
  • HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US]/[US]
Inventeurs
  • WHITNEY, Colin, G.
Mandataires
  • SALES, Michael, W. @
Données relatives à la priorité
812,57823.12.1985US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GATE MODULATED TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER WITH BUFFERING FOR FOCAL PLANE ARRAY
(FR) AMPLIFICATEUR A IMPEDANCE TRANSITOIRE MODULE PAR PORTE AVEC TAMPONNAGE POUR RESEAU DE PLANS FOCAUX
Abrégé
(EN)
An improved circuit for coupling the output of a photodetector in a focal plane array to a charge coupled device. The improvement comprises amplifier means coupled between the gate of the photodetector output and an output FET for lowering the overall circuit impedance, for reducing the effect of photodetector and FET nonuniformities on the output current and for reducing the size of resistive circuit components. The amplifier may use a cascade of gate modulated FETs, at least one of which is source coupled to the photodetector output, to enhance circuit performance. The amplifiers' gain and impedance may be selectively varied by adjusting a single bias voltage.
(FR)
Un circuit amélioré, destiné à coupler la sortie d'un photodétecteur dans un réseau de plans focaux à un dispositif couplé par charge, comprend un amplificateur couplé entre la porte de la sortie du photodétecteur et un transistor à effet de champ (FET) de sortie, afin d'abaisser l'impédance totale du circuit, afin de réduire l'effet des non-uniformités entre le photodétecteur et le transistor à effet de champ (FET) sur le courant de sortie et afin de réduire la grandeur des composantes de résistance du circuit. L'amplificateur peut utiliser une cascade de transistors à effet de champ (FET) modulés par porte, l'un au moins desdits transistors à effet de champ étant couplé par source à la sortie du photodétecteur, afin d'améliorer les performances du circuit. L'impédance et le gain des amplificateurs peuvent être sélectivement modifiés en réglant une seule tension de polarisation.
Également publié en tant que
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