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1. WO1986007215 - AMELIORATIONS RELATIVES A DES TRANSCONDUCTEURS

Numéro de publication WO/1986/007215
Date de publication 04.12.1986
N° de la demande internationale PCT/GB1986/000289
Date du dépôt international 23.05.1986
CIB
H03F 3/45 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
45Amplificateurs différentiels
H03H 11/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11Réseaux utilisant des éléments actifs
02Réseaux à plusieurs accès
04Réseaux sélectifs en fréquence à deux accès
H03H 11/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11Réseaux utilisant des éléments actifs
02Réseaux à plusieurs accès
04Réseaux sélectifs en fréquence à deux accès
08utilisant des gyrateurs
H03H 11/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11Réseaux utilisant des éléments actifs
02Réseaux à plusieurs accès
40Convertisseurs d'impédance
42Gyrateurs
CPC
H03F 2203/45352
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2203Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
45Indexing scheme relating to differential amplifiers
45352the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors
H03F 2203/45431
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2203Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
45Indexing scheme relating to differential amplifiers
45431the CMCL output control signal being a current signal
H03F 2203/45574
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2203Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
45Indexing scheme relating to differential amplifiers
45574the IC comprising four or more input leads connected to four or more AAC-transistors
H03F 2203/45592
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2203Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
45Indexing scheme relating to differential amplifiers
45592the IC comprising one or more buffer stages other than emitter or source followers between the input signal leads and input leads of the dif amp, e.g. inverter stages
H03F 3/45179
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
45071with semiconductor devices only
45076characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
45179using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
H03F 3/45197
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
45071with semiconductor devices only
45076characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
45179using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
45197Pl types
Déposants
  • WOLFSON MICROELECTRONICS LIMITED [GB]/[GB] (AllExceptUS)
  • PENNOCK, John, Laurence [GB]/[GB] (UsOnly)
Inventeurs
  • PENNOCK, John, Laurence
Mandataires
  • NEWBY, John, Ross
Données relatives à la priorité
851332928.05.1985GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO TRANSCONDUCTORS
(FR) AMELIORATIONS RELATIVES A DES TRANSCONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A differential input, differential output transconductor for IC fabrication comprises a matched pair of field-effect transistors (10) whose source terminals (11) are connected together to a first fixed voltage, the substrate terminals are connected together to a second fixed voltage and the quiescent voltages of the gate terminals (12) are equal. The FETs are biassed in the triode region of operation for the expected gate-source voltage and signal voltages of equal but opposite polarity are superimposed on the gate terminals (12) of the FETs. Circuitry is disclosed to maintain the voltage of the drain terminals (13) and to transmit the differential - mode output current component at a higher impedance level to output circuitry. A common-mode bias stabilisation circuit, a phase neutralising circuit and active filter circuits are also disclosed.
(FR)
Un transconducteur à entrée différentielle et à sortie différentielle pour la fabrication de circuits intégrés comprend une paire assorties de transistors à effet de champ (10) dont les bornes de source (11) sont connectées ensemble à une première tension fixe, les bornes du substrat sont connectées ensemble à une deuxième tension fixe et les tensions à l'état de repos des bornes de porte (12) sont égales. Les transistors à effet de champ sont polarisés dans la région de triode de fonctionnement pour atteindre la tension désirée porte-source et des tensions de signaux de polarités égales mais opposées sont superposées sur les bornes de porte (12) des transistors à effet de champ. Sont décrits des circuits permettant d'entretenir la tension des bornes de drain (13) et de transmettre la composante du courant de sortie en mode différentiel à un niveau d'impédance plus élevé au circuit de sortie. Un circuit de stabilisation de polarisation à mode commun, un circuit de neutralisation de phase et des circuits de filtre actif sont également décrits.
Également publié en tant que
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