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1. (WO1986003523) BARRES DE SILICIUM MONOCRISTALLIN A TIRAGE EN CONTINU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/003523 N° de la demande internationale : PCT/US1984/001980
Date de publication : 19.06.1986 Date de dépôt international : 04.12.1984
CIB :
C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
Déposants :
J. C. SCHUMACHER COMPANY [US/US]; 580 Airport Road Oceanside, CA 92054, US (AllExceptUS)
SCHUMACHER, John, C. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
SCHUMACHER, John, C.; US
Mandataire :
HUBBARD, Grant, L. @; Hubbard and Stetina 24221 Calle de la Louisa Suite 401 Laguna Hills, CA 92653, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CONTINUOUSLY PULLED SINGLE CRYSTAL SILICON INGOTS
(FR) BARRES DE SILICIUM MONOCRISTALLIN A TIRAGE EN CONTINU
Abrégé :
(EN) A method for producing single crystal ingots continuously by forming a molten body of silicon metal of two feedstocks of silicon, one feedstock containing a predetermined level of dopant; continuously drawing a single crystal ingot of doped silicon from said molten body of silicon, said ingot being characterized in that the concentration of dopant is uniform along the length of the ingot, while continuously feeding said feedstocks into said molten body of silicon to thereby maintain the concentration of dopant uniform in said body during the drawing of the single crystal therefrom.
(FR) Procédé de production en continu de barres de silicium monocristallin consistant à former un corps en fusion de silicium métal à partir de deux charges de silicium dont l'une contient un degré prédéterminé de dopant, à tirer en continu une barre de silicium dopé monocristallin à partir dudit corps de silicium en fusion, ladite barre étant caractérisée en ce que la concentration de dopant est uniforme sur toute la longueur, tout en introduisant en continu lesdites charges dans ledit corps de silicium en fusion pour ainsi y maintenir uniforme la concentration de dopant durant le tirage du monocristal.
États désignés : AU, DK, FI, JP, MC, NO, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP0205422AU1985037460