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1. (WO1985004731) ELEMENT D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/004731    N° de la demande internationale :    PCT/JP1985/000178
Date de publication : 24.10.1985 Date de dépôt international : 08.04.1985
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01)
Déposants : HOSIDEN ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 4-33, Kitakyuhoji 1-chome, Yao-shi, Osaka 581 (JP) (Tous Sauf US).
AOKI, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UGAI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAKE, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAMOTO, Kotaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AOKI, Shigeo; (JP).
UGAI, Yasuhiro; (JP).
MIYAKE, Katsumi; (JP).
OKAMOTO, Kotaro; (JP)
Mandataire : KUSANO, Takashi; Sagami Bldg., 2-21, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
59/70440 09.04.1984 JP
Titre (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND A METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) ELEMENT D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A liquid crystal display element in which a plurality of display electrodes (15) are selected by turning on or turning off thin-film transistors (16) to produce display, and relates to a method of producing the same. According to the invention, in particular, the channel length of thin-film transistor (16) is shortened so that the element operates at high speeds while exhibiting uniform characteristics. The display electrode (15) and a source electrode (19a) are formed in a clear substrate (11) on one side of the liquid crystal display element, a semiconductor layer (21) is formed therebetween, a gate insulating film (22) is formed on the semiconductor layer (21), and a gate electrode (23) is formed on the gate insulating film (22) between the display electrode (15) and the source electrode (19a). With the gate electrode (23) as a mask, ions are implanted into the semiconductor layer (21), and portions of the semiconductor layer (21) connected to the display electrode (15) and to the source electrode (19a) are used as ohmic layers (27), (28), respectively, thereby to obtain a channel in which the distance between the ohmic layers (27) and (28) is determined by the length of the gate electrode (23).
(FR)Element d'affichage à cristal liquide où une pluralités d'électrodes d'affichage (15) sont sélectionnées par allumage ou arrêt de transistors à film mince (16) afin de produire un affichage, et son procédé de production. Conformément à la présente invention, la longueur de canal du transistor à film mince (16) est raccourcie si bien que l'élément fonctionne à des vitesses élevées tout en présentant des caractéristiques uniformes. L'électrode d'affichage (15) et une électrode de source (19a) sont formées dans un substrat clair (11) d'un côté de l'élément d'affichage à cristal liquide, une couche de semi-conducteur (21) est formée entre celles-ci, un film d'isolation de porte (22) est formé sur la couche de semi-conducteur (21) et une électrode de porte (23) est formée sur le film d'isolation de porte (22) entre l'électrode d'affichage (15) et l'électrode de source (19a). Avec l'électrode de porte (23) servant de masque, des ions sont implantés dans la couche de semi-conducteur (21) et des parties de la couche de semi-conducteur (21) connectée à l'électrode d'affichage (15) et à l'électrode de source (19a) sont utilisées comme couches ohmiques (respectivement (27), (28)), afin d'obtenir un canal dans lequel la distance séparant les couches ohmiques (27) et (28) est déterminée par la longueur de l'électrode de porte (23).
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (CH, DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)