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1. (WO1985002030) MASQUES LITHOGRAPHIQUES EN SiO2 POLYMERISES PAR GREFFAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/002030    N° de la demande internationale :    PCT/US1984/000123
Date de publication : 09.05.1985 Date de dépôt international : 16.02.1984
CIB :
G03F 7/26 (2006.01), G03F 7/36 (2006.01)
Déposants : HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventeurs : BRAULT, Robert, G.; (US)
Mandataire : COLLINS, David, W. @; Hughes Aircraft Company, Post Office Box 1042, Building C2, M.S. A126, El Segundo, CA 90245 (US)
Données relatives à la priorité :
548,180 02.11.1983 US
Titre (EN) GRAFT POLYMERIZED SiO2 LITHOGRAPHIC MASKS
(FR) MASQUES LITHOGRAPHIQUES EN SiO2 POLYMERISES PAR GREFFAGE
Abrégé : front page image
(EN)A process, and the delineation of typical materials to be used in that process, which enables the use of a precision radiation source to produce a microcircuit resist image accurate to a few micrometers or even fractions of a micrometer. In addition, the process provides for the dry development of this image, thus insuring the ability to create a finished resist structure exhibiting the same accuracy in dimensions. Specifically, there is provided a process in which a positive or negative resist polymer is irradiated using a precision radiation source such as an electron beam, masked ion beam, or focused ion beam to generate organic free radicals. After irradiation, the reactive resist polymer is exposed to oxygen or air to create peroxides or hydroperoxides. The peroxides or hydroperoxides are later thermally decomposed to generate organic free radicals which can be reacted with a silicon-containing organic molecule which contains at least one vinyl or other functional group capable of reacting with the organic free radical. The resulting copolymer resist then includes a latent image containing silicon, which can be dry developed using plasma or reactive ion etching techniques. In another embodiment of this process, an intermediary non-silicon-containing organic molecule is grafted to the active sites on the resist polymer. The organic molecule is then reacted with a silicon-containing compound, so that it becomes a grafting intermediary between the initial polymeric resist and the silicon-containing compound.
(FR)Procédé et description de matériaux normalement employés dans ce procédé, permettant d'utiliser une source de radiations de précision pour produire une image de réserve d'un microcircuit avec une précision de l'ordre de quelques micromètres ou même d'une fraction de micromètre. Ce procédé permet en outre le développement par la voie sèche de l'image obtenue, ce qui permet de créer une structure de réserve finie présentant la même précision dimensionnelle. On décrit, plus spécifiquement, un procédé dans lequel un polymère négatif de réserve est irradié en utilisant une source de radiations de précision, telle qu'un faisceau d'électrons, un faisceau d'ions à masque ou un faisceau d'ions focalisés, pour produire des radicaux libres organiques. Après l'irradiation, le polymère réactif de réserve est exposé à l'oxygène ou à l'air pour créer des peroxydes ou des hydroperoxydes. Les peroxydes ou les hydroperoxydes sont ensuite décomposés thermiquement pour produire des radicaux libres organiques qui peuvent réagir avec une molécule organique contenant du silicium et au moins un vinyle ou un autre groupe fonctionnel pouvant réagir avec le radical libre organique. La réserve à base de copolymère résultante comprend alors une image latente contenant du silicium et pouvant être développée par la voie sèche en utilisant des techniques de gravure au plasma ou par ions réactifs. Dans une variante, une molécule intermédiaire ne contenant pas de silicium est greffée sur les sites actifs du polymère de réserve. On provoque ensuite la réaction de la molécule organique avec un composé contenant du silicium, de manière à obtenir un intermédiaire de greffage entre la réserve polymère initiale et le composé contenant du silicium.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)