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Paramétrages

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1. WO1985001301 - DISPOSITIF PULVERISATEUR

Numéro de publication WO/1985/001301
Date de publication 28.03.1985
N° de la demande internationale PCT/JP1984/000442
Date du dépôt international 13.09.1984
CIB
H01J 37/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34fonctionnant par pulvérisation cathodique
CPC
H01J 37/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
H01J 37/3444
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3444Associated circuits
Déposants
  • KABUSHIKI KAISHA TOKUDA SEISAKUSHO [JP/JP]; 25-22, Sagamigaoka 6-chome Zama-shi Kanagawa 228, JP (AllExceptUS)
  • KURIYAMA, Noboru [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • KURIYAMA, Noboru; JP
Mandataires
  • INOMATA, Kiyoshi @; Kyowa Patent & Law Office Room 323 Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100, JP
Données relatives à la priorité
58/17044814.09.1983JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTERING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF PULVERISATEUR
Abrégé
(EN)
A sputtering apparatus is arranged such that the material to be treated and the target are housed in a vacuum vessel and high-frequency electric power is supplied to the material and the target, thereby forming a film of a desired depth on the surface of the material. For the high-frequency electric power, the output of a single oscillator is applied to two amplifiers, whereby two kinds of high-frequency electric power are the respective outputs of the amplifiers and are respectively applied to the material to be treated an to the target in the vacuum vessel through respective wattmeters and matching circuits. By virtue of this arrangement, it is possible to accurately determine the electric power applied to the material and to the target. Moreover, since the two kinds of electric power have the same frequency, each of the two kinds of electric power can be simply and precisely adjusted by adjusting the impedance of the corresponding matching circuit. Accordingly, it is possible to accurately form a film of a desired depth on the surface of the material.
(FR)
Un dispositif pulvérisateur est agencé de sorte que le matériau à traiter et la cible sont logés dans un récipient sous vide et que de l'énergie électrique à haute fréquence est appliquée au matériau et à la cible, formant ainsi un film d'une épaisseur désirée sur la surface du matériau. Pour produire l'énergie électrique à haute fréquence, la sortie d'un oscillateur unique est appliquée à deux amplificateurs qui produisent deux sorties respectives d'énergie à haute fréquence, qui sont appliquées respectivement au matériau à traiter et à la cible dans le récipient sous vide par l'intermédiaire de wattmètres et de circuits d'adaptation respectifs. Il est possible, grâce à cet agencement, de déterminer avec précision l'énergie électrique appliquée au matériau et à la cible. En outre, étant donné que les deux sortes d'énergie électrique ont la même fréquence, chacune des deux peut être régulée simplement et avec précision en régulant l'impédance du circuit d'adaptation correspondant. Par conséquent, il est possible de former précisément un film d'une épaisseur désirée sur la surface du matériau.
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