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Paramétrages

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1. WO1985001020 - PROCEDE D'INTERCONNEXION DE COUCHES METALLIQUES

Numéro de publication WO/1985/001020
Date de publication 14.03.1985
N° de la demande internationale PCT/US1984/001432
Date du dépôt international 06.09.1984
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/76819
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76819Smoothing of the dielectric
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; 901 Thompson Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088, US
Inventeurs
  • GWOZDZ, Peter, S.; US
Mandataires
  • KING, Patrick, T.; 901 Thompson Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088, US
Données relatives à la priorité
529,92007.09.1983US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR INTERCONNECTING METALLIC LAYERS
(FR) PROCEDE D'INTERCONNEXION DE COUCHES METALLIQUES
Abrégé
(EN)
A method for forming multiple conductive interconnect layers (14, 50) on a semiconductor device (10) comprises defining a first conductive metal layer (14), applying a first insulating layer (22) thereon, planarizing the first insulating layer (22) by etching a sacrificial planarization layer (27), applying a second insulating layer (36), forming vias (40) through first and second insulating layers (22, 36) and applying a second conductive layer (50) thereon. Optionally, a third insulating layer (44) can be applied over the first two (22, 36) and stepped vias (47) formed to improve the interconnection of the first and second layers (14, 50). The method reduces metallization failure associated with irregularities in the intermediate insulating layers (22, 36, 44).
(FR)
Un procédé permettant de former des couches conductrices multiples d'interconnexion (14, 50) sur un dispositif à semi-conducteurs (10) consiste à définir une première couche métallique conductrice (14), à y appliquer une première couche isolante (22), à aplanir la première couche isolante (22) en éliminant par gravure une couche perdue d'aplanissage (27), à appliquer une deuxième couche isolante (36), à aménager des passages (40) au travers de la première et de la deuxième couches isolantes (22, 36) et à y appliquer une deuxième couche conductrice (50). Une troisième couche isolante (44) peut éventuellement être appliquée sur les deux premières (22, 36) et des passages en gradins (47) peuvent être aménagés pour améliorer l'interconnexion entre la première et la deuxième couches (14, 50). Ce procédé permet de réduire les défauts de métallisation dus aux irrégularités dans les couches isolantes intermédiaires (22, 36, 44).
Également publié en tant que
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