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1. (WO1984002034) EPITAXIE EN PHASE SOLIDE ET PROCEDE DE REDEVELOPPEMENT AVEC PROFIL DE DENSITE A DEFAUT CONTROLE POUR SEMICONDUCTEUR HETEROEPITAXIAL SUR DES SUBSTRATS COMPOSITES ISOLANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1984/002034    N° de la demande internationale :    PCT/US1983/001622
Date de publication : 24.05.1984 Date de dépôt international : 17.10.1983
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
  30.12.1899 null
Titre (EN) SOLID PHASE EPITAXY AND REGROWTH PROCESS WITH CONTROLLED DEFECT DENSITY PROFILING FOR HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR ON INSULATOR COMPOSITE SUBSTRATES
(FR) EPITAXIE EN PHASE SOLIDE ET PROCEDE DE REDEVELOPPEMENT AVEC PROFIL DE DENSITE A DEFAUT CONTROLE POUR SEMICONDUCTEUR HETEROEPITAXIAL SUR DES SUBSTRATS COMPOSITES ISOLANTS
Abrégé : front page image
(EN)Method of fabricating a semiconductor on insulator composite substrate comprised of a semiconductor layer adjacent an insulator substrate, the defect density profile of the semiconductor layer being low and relatively uniform, a relatively thin region of the semiconductor layer at the semiconductor/insulator interface having a substantially greater defect density. The method comprises the steps of depositing the semiconductor layer (12a) adjacent the insulator substrate (10), amorphizing a buried portion (14) of the semiconductor layer without damaging the insulator substrate such as to release contaminants into the semiconductor layer, recrystallizing the amorphous portion of the semiconductor or layer, removing a portion of the semiconductor layer so as to expose the recrystallized layer (38), and depositing an additional semiconductor layer (40) of the recrystallized layer to provide an essentially defect free semiconductor layer of any desired thickness. The provision of semiconductor layers formed by either appropriately selecting the depth within the semiconductor layer at which the amorphization occurs and the width of the amorphized region or permitting self-annealing to occur during the amorphization, or both, having a desired high defect density and interposed between the recrystallized layer and the insulator substrate are also disclosed.
(FR)Procédé de fabrication d'un semiconducteur sur un substrat composite isolant consistant en une couche semiconductrice adjacente à un substrat isolant, le profil de densité de défaut de la couche à semiconducteur étant faible et relativement uniforme, une région relativement fine de la couche à semiconducteur au niveau de l'interface semiconducteur/isolant ayant une densité de défaut sensiblement plus grande. Le procédé consiste à déposer la couche à semiconducteur (12a) adjacente au substrat d'isolant (10), à rendre amorphe une partie noyée (14) de la couche à semiconducteur sans endommager le substrat isolant de manière à libérer les substances contaminantes dans la couche à semiconducteur, à recristalliser la partie amorphe du semiconducteur ou couche, à enlever une partie de la couche à semiconducteur de manière à exposer la couche recristallisée (38), et à déposer une couche à semiconducteur supplémentaire (40) de la couche recristallisée pour obtenir une couche à semiconducteur sensiblement sans défaut d'une épaisseur désirée. L'obtention des couches à semiconducteur formées soit en sélectionnant de manière appropriée la profondeur dans la couche à semiconducteur à laquelle a lieu l'amorphisation et la largeur de la région amorphisée soit en permettant un auto-recuit lors de l'amorphisation, soit les deux, ces couches ayant une densité de défaut élevée désirée et interposées entre la couche recristallisée et le substrat isolant est également décrite.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)