WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1983003851) PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS POSSEDANT DES ZONES SEMICONDUCTRICES ISOLEES DIELECTRIQEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1983/003851    N° de la demande internationale :    PCT/US1983/000492
Date de publication : 10.11.1983 Date de dépôt international : 07.04.1983
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
Inventeurs : CELLER, George, K.; (US).
LISCHNER, David, John; (US).
ROBINSON, McDonald; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
374,309 03.05.1982 US
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DIELECTRICALLY ISOLATED SEMICONDUCTOR AREAS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS POSSEDANT DES ZONES SEMICONDUCTRICES ISOLEES DIELECTRIQEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Dielectrically isolated regions of single crystal silicon are produced through the use of a specific melting process. In this process, a substrate having regions (e.g. 8 or 9) of single crystal silicon contacting regions of non-single crystal silicon (e.g. 4) that overlie a dielectric material (e.g. 6) are treated. In particular, the entire region(s) of non-single crystal silicon is melted utilizing primarily radiant energy. Cooling is then initiated and the molten silicon is converted into a region of single crystal material (e.g. area 30). Isolation is completed by removing the appropriate regions of single crystal silicon.
(FR)Des régions isolées diélectriquement de silicium mono-cristallin sont produites en utilisant un procédé de fusion spécifique. Dans ce procédé, un substrat possèdant des régions (par exemple 8 ou 9) de silicium mono-cristallin en contact avec des régions de silicium non mono-cristallin (par exemple 4) recouvrant un matériau diélectrique (par exemple 6) sont traitées. En particulier, toute la région (ou les régions) de silicium non mono-cristallin est/sont fondue(s) en utilisant principalement de l'énergie radiante. On commence ensuite le refroidissement et le silicium fondu est converti en une région d'un matériau mono-cristallin (par exemple la zone 30). L'isolation est complétée en éloignant les régions appropriées de silicium mono-cristallin.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (BE, DE, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)