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1. (WO1981002948) PROCEDE DE PRODUCTION DE FEUILLES D'UN MATERIAU CRISTALLIN ET DISPOSITIFS FABRIQUES A PARTIR DE CES FEUILLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/002948    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000439
Date de publication : 15.10.1981 Date de dépôt international : 06.04.1981
CIB :
C30B 25/04 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 25/04 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
138891 10.04.1980 US
Titre (EN) METHODS OF PRODUCING SHEETS OF CRYSTALLINE MATERIAL AND DEVICES MADE THEREFROM
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE FEUILLES D'UN MATERIAU CRISTALLIN ET DISPOSITIFS FABRIQUES A PARTIR DE CES FEUILLES
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing sheets of crystalline material, as well as devices employing such sheets. In the method, a growth mask (12) is formed upon a substrate (10) and crystalline material is grown at areas (14) of the substrate (10) exposed through the mask (12) and laterally over the surface of the mask (12) to form a sheet of crystalline material (18). This sheet (18) is optionally separated so that the substrate (10) can be reused. The method has particular importance in forming sheets of crystalline semiconductor material for use in solid state devices.
(FR)Procede de production de feuilles d'un materiau cristallin, et dispositifs utilisant de telles feuilles. Dans le procede, un masque de croissance (12) est forme sur un substrat (10) et un materiau cristallin est developpe dans des regions (14) du substrat (10) expose au travers du masque (12) et lateralement sur la surface du masque (12) pour former une feuille de materiau cristallin (18). Cette feuille (18) est eventuellement separee de sorte que le substrat (10) puisse etre reutilise. Le procede presente une importance particuliere pour la formation de feuilles d'un materiau cristallin semi-conducteur utilise dans des dispositifs a semi-conducteurs.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)