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1. (WO1981002811) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/002811    N° de la demande internationale :    PCT/GB1981/000057
Date de publication : 01.10.1981 Date de dépôt international : 26.03.1981
CIB :
H01L 21/363 (2006.01), H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/074 (2012.01), H01L 31/08 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
8009588 27.03.1980 GB
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (1) including a monocrystalline region of semiconductor grey tin material (5) in intimate contact with a monocrystalline substrate (3). The region of semiconductor tin (5) is stabilised by interaction with the monocrystalline substrate (3) which has a crystallographic structure isomorphous with the structure of grey tin and an interatomic spacing matched to the interatomic spacing of the semiconductor region (5). The semiconductor region (5) may be further stabilised by inclusion of germanium dopant. The matching substrate (3) may be of indium antimonide, cadmium telluride, germanium or silicon material. Ohmic contact between a region of semiconductor tin (5) and a region of metal white tin (15) may be formed. Details of infra-red photovoltaic and photoconductive devices are given. The semiconductor region of tin may be grown by molecular beam epitaxy.
(FR)Dispositif a semiconducteur (1) comprenant une region monocristalline d'un materiau (5) d'etain gris semiconducteur en contact etroit avec un substrat (3) monocristallin. La region de l'etain semiconducteur (5) est stabilisee par un interaction avec le substrat monocristallin (3) possedant une structure cristallographique isomorphe par rapport a la structure de l'etain gris et un espacement interatomique correspondant a l'espacement interatomique de la region (5) du semiconducteur. La region (5) du semiconducteur peut etre stabilisee ulterieurement par inclusion d'un dopant de germanium. Le substrat (3) correspondant peut etre constitue par un antimonide d'indium, un teliorhide de cadmium, ou un materiau de germanium ou de silicium. Un contact ohmique entre une region de l'etain (5) semiconducteur et une region d'etain (15) blanc metallique peut etre forme. Des details concernant des dispositifs photovoltaique et photoconducteur d'infrarouge sont donnes. La region d'etain semiconducteur peut etre developpee par epitaxie de rayon moleculaire.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)