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1. (WO1981002793) SYSTEME DETECTEUR DE PHOTONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/002793    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000378
Date de publication : 01.10.1981 Date de dépôt international : 20.03.1981
CIB :
H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/02 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
134846 28.03.1980 US
Titre (EN) PHOTON DETECTOR SYSTEM
(FR) SYSTEME DETECTEUR DE PHOTONS
Abrégé : front page image
(EN)A photon detector includes a semiconductor device (10), such as a Schottky barrier diode, which has an avalanche breakdown characteristic The diode is cooled to cryogenic temperatures to eliminate thermally generated charge carriers from the device. The diode is then biased to a voltage level exceeding the avalanche breakdown threshold level such that, upon receipt of a photon, avalanche breakdown occurs. This breakdown is detected by appropriate circuitry (20) which thereafter reduces the diode bias potential to a level below the avalanche breakdown threshold level to terminate the avalanche condition. Subsequently, the bias potential is reapplied to the diode in preparation for detection of a subsequently received photon.
(FR)Un detecteur de photons comprend un dispositif a semi-conducteurs (10), tel qu'une diode de barrage Schottky qui possede des caracteristiques de rupture en avalanche. La diode est refroidie jusqu'a atteindre des temperatures cryogeniques pour eliminer des porteurs de charges generes par la chaleur du dispositif. La diode est alors polarisee a un niveau de tension superieur au niveau de seuil de rupture en avalanche de sorte que, en recevant un photon, la rupture en avalanche se produit. Cette rupture est detectee par un reseau de circuit approprie (20) qui reduit alors le potentiel de polarisation de la diode en le ramenant a un niveau inferieur au niveau de seuil de rupture en avalanche pour mettre fin aux conditions d'avalanche. Ensuite, le potentiel de polarisation est applique de nouveau a la diode en vue de detecter un photon recu ulterieurement.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)