WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1981002222) STRUCTURE COMPOSITE D"INTERCONNEXION/PORTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/002222    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000652
Date de publication : 06.08.1981 Date de dépôt international : 22.05.1980
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
113660 21.01.1980 US
Titre (EN) COMPOSIT GATE INTERCONNECT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPOSITE D"INTERCONNEXION/PORTE
Abrégé : front page image
(EN)A composit gate/interconnect structure (36) is formed by interleaved layers of polycrystalline silicon (28) and a refractory metal (26) selected from the group consisting of molybdenum, tungsten, platinum and titanium. The combination of a refractory metal such as molybdenum with polycrystalline silicon produces a stable gate material having low resistivity which can be formed by simple fabrication processes in the construction of high speed MOS devices.
(FR)Une structure composite porte/interconnexion (36) est formee par des couches intercalees de silicium polycristallin (28) et d"un metal refractaire (26) selectionne parmi le groupe comprenant le molybdene, le tungstene, le platine et le titane. La combinaison d"un metal refractaire tel que du molybdene avec du silicium polycristallin produit un materiau de porte stable ayant une faible resistivite qui peut etre formee par des procedes de fabrication simples pour la construction de dispositifs MOS de grande vitesse.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)