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1. (WO1981001221) LASER A SEMI-CONDUCTEUR A MODE STABILISE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/001221    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/001328
Date de publication : 30.04.1981 Date de dépôt international : 09.10.1980
CIB :
H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
89036 29.10.1979 US
Titre (EN) MODE STABILIZED SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR A MODE STABILISE
Abrégé : front page image
(EN)Longitudinal mode control, thereby providing more useful devices, is achieved in a heterojunction semiconductor laser (201-208) by doping the active region (203) of the laser with a deep level electron or hole trap. The trap is chosen to have a carrier capture cross section (Alpha)o and an optical cross section (Alpha)o such that the ratio of P, the average number of photons per cubic centimetre, to Ps is between 0.1 and 100 where Ps is equal to (N (Alpha)eV(Alpha)oCo), N is the carrier density, V is the carrier thermal velocity, and Co is the speed of light in the material. In a specific embodiment the active region is bombarded by photons to achieve deep level electron traps in the active region.
(FR)La commande par mode longitudinal, permettant ainsi d'obtenir des dispositifs plus utiles, est effectuee par un laser a semi-conducteur a heterojonctions (201-208) par dopage de la region active (203) du laser avec un piege a trou ou electronique a niveau profond. le piege est choisi de maniere a avoir une section de capture porteuse (Alpha)o et une section optique (Alpha)o de telle sorte que le rapport de P, representant le nombre moyens de photons par centimetre cube, sur Ps soit compris entre 0,1 et 100, ou Ps est egale a (N(Alpha)e V(Alpha)oCo), N est la densite porteuse, V est la vitesse thermique porteuse, et Co est la vitesse de la lumiere dans le materiau. Dans un mode specifique de realisation, la region active est bombardee par des photons pour obtenir des pieges electroniques a niveau profond dans la region active.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)