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1. WO1981001079 - STRUCTURE A FILM MINCE POUR SUBSTRATS EN CERAMIQUE

Numéro de publication WO/1981/001079
Date de publication 16.04.1981
N° de la demande internationale PCT/US1980/001202
Date du dépôt international 15.09.1980
CIB
H01L 21/268 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H01L 27/01 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
01comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
H01P 1/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1Dispositifs auxiliaires
20Sélecteurs de fréquence, p.ex. filtres
201Filtres à ondes électromagnétiques transversales
205Filtres en forme de peigne ou interdigitaux; Cavités coaxiales en cascade
H01P 11/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
11Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
H05K 1/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
H05K 1/03 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
03Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
CPC
H01L 21/268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
268using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
H01L 27/016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
01comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
016Thin-film circuits
H01P 1/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
201Filters for transverse electromagnetic waves
205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
H01P 11/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
11Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
H05K 1/0293
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
1Printed circuits
02Details
0286Programmable, customizable or modifiable circuits
0293Individual printed conductors which are adapted for modification, e.g. fusable or breakable conductors, printed switches
H05K 1/0306
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
1Printed circuits
02Details
03Use of materials for the substrate
0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Déposants
Inventeurs
Données relatives à la priorité
8494115.10.1979US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM STRUCTURE FOR CERAMIC SUBSTRATES
(FR) STRUCTURE A FILM MINCE POUR SUBSTRATS EN CERAMIQUE
Abrégé
(EN)
A thin film structure is provided with the capability of low-power laser tuning and trimming. Trim windows (14) in a plated ground plane (12) are incorporated to allow automated tuning procedures using relatively low-power lasers. The trim windows are conductive, but the heavier layer (25) of plated copper is omitted from those areas, leaving only the titanium/evaporated copper/gold layers (18, 20, 26). The method can also provide for areas (28) of bare substrate if desired.
(FR)
Une structure a film mince est concue avec la capacite de syntonisation et de decoupage au laser de faible puissance. Des fenetres de decoupage (14) dans un plan de base plaque (12) sont amenagees pour permettre d'effectuer des syntonisations automatisees en utilisant des laser de puissance relativement faible. Les fenetres de decoupage sont conductrices, mais la couche la plus grosse (25) de cuivre plaque est omise de ces regions, laissant seulement les couches de titanium-cuivre evapore-or (18, 20, 26). Le procede peut egalement former des regions (28) de substrats a nu.
Également publié en tant que
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