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1. (WO1981000490) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1981/000490 N° de la demande internationale : PCT/JP1980/000176
Date de publication : 19.02.1981 Date de dépôt international : 30.07.1980
CIB :
H01L 29/788 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
788
à grille flottante
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/9819931.07.1979JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Non-volatile semiconductor memory device which has a source region (2), a drain region (3), a gate insulating film (4), a floating gate (5), and a control gate (7) substantially coupled to the floating gate (5) on a semiconductor substrate (1). C1 represents the capacity between the substrate (1) and the floating gate (5), C2 the capacity between the floating gate (5) and the control gate (7), CFS the capacity between the source region (3) and the floating gate (5), d1 the thickness of at least a portion of the film (4), EB the avalanche breakdown starting voltage between the drain region (3) and the substrate (1), and VD the voltage applied to the drain region. When an electric field EX for implanting a hot carrier into the floating gate (5) is equal to or greater than the voltage EB, the structural parameter of the memory device is so selected as to satisfy the following formulae: (FORMULA) when the parameter is thus selected, the memory device can execute the writing and rewriting of data by the operation of a single electrode power supply. It is also possible to effect a large reduction in the writing and rewriting voltages.
(FR) Un dispositif de memoire a semi-conducteurs remanente qui possede une region de source (2), une region de drainage (3), une pellicule d"isolation de porte (4), une porte flottante (5) et une porte de commande (7) couplee sensiblement a la porte flottante (5) sur un substrat semi-conducteur (1). C1 represente la capacite entre le substrat (1) et la porte de flottaison (5), C2 represente la capacite entre la porte flottante (5) et la porte de commande (7), Cs represente la capacite entre la region de source (3) et la porte flottante (5), d1 represente l"epaisseur d"au moins une portion de la pellicule (4), Es represente la tension de depart de cassure d"avalanche entre la region de drainage (3) et de substrat (1), et Vs represente la tension appliquee a la region de drainage. Lorsqu"un champ electrique Es d"implantation d"une porteuse chaude dans la porte flottante (5) est egale a ou superieure a la tension Es, le parametre de structure du dispositif de memoire est selectionne de maniere a satisfaire la formule suivante: (FORMULE) lorsque le parametre est ainsi selectionne, le dispositif de memoire peut executer l"ecriture et la reecriture des donnees par alimentation de puissance a une seule electrode. Il est egalement possible d"effectuer une grande reduction des tensions d"ecriture et de reecriture.
États désignés :
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP0032958