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1. (WO1980002624) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/002624    N° de la demande internationale :    PCT/JP1980/000106
Date de publication : 27.11.1980 Date de dépôt international : 17.05.1980
CIB :
G11C 11/404 (2006.01), H01L 21/334 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
79/61227 18.05.1979 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTIVE MEMORY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)In prior art, for a one-transistor- one-capacitor-memory, the area of a memory cell is influenced by the accuracy of patterning for capacitor electrodes (3). The prior art requires therefore to take into estimation an error in patterning the capacitor electrodes (3) in addition to the minimum requisite area to the capacitor electrodes. For decreasing the area of a memory cell, according to the present invention, capacitors (14) are made of silicon nitride, memory cells are isolated by the combination of thick insulator layers (18) and field-shield layers (20), and capacitor electrodes (13) are formed by self-alignment, using the field-shield layers (20) and gate electrodes (16) of the transistors. The present invention is usable for IC- and LSI- fabrications.
(FR)Dans la technique anterieure, pour une memoire a un transistor-un condensateur, la zone d"une cellule de memoire est influencee par l"exactitude de modelage des electrodes (3) du condensateur. La technique anterieure necessitait donc de prendre en estimation une erreur de modelage des electrodes (3) de condensateur en plus de la zone minimale requise pour les electrodes du condensateur. Pour diminuer la zone d"une cellule de memoire, les condensateurs sont fabriques avec du nitrure de silicium, les cellules de memoire sont isolees en combinant des couches epaisses isolantes (18) et des couches de champs-ecrans (20) et les electrodes de condensateurs (13) sont formees par alignement automatique en utilisant les couches de champs-ecrans (20) et les electrodes de porte (16) des transistors. La presente invention est utilisable pour des fabrications IC et LSI.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)