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1. WO1980001425 - CIRCUIT DE CONTROLE POUR LA REGENERATION D"UNE MEMOIRE DYNAMIQUE

Numéro de publication WO/1980/001425
Date de publication 10.07.1980
N° de la demande internationale PCT/US1979/001141
Date du dépôt international 28.12.1979
CIB
G11C 11/406 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
406Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge
G11C 11/4072 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
4072Circuits pour l'initialisation, pour la mise sous ou hors tension, pour l'effacement de la mémoire ou pour le préréglage
CPC
G11C 11/406
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
G11C 11/4072
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4072Circuits for initialisation, powering up or down, clearing memory or presetting
Déposants
Inventeurs
Données relatives à la priorité
198308.01.1979US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONTROL CIRCUIT FOR REFRESHING A DYNAMIC MEMORY
(FR) CIRCUIT DE CONTROLE POUR LA REGENERATION D"UNE MEMOIRE DYNAMIQUE
Abrégé
(EN)
A circuit which efficiently controls the refresh operation of a dynamic memory. The refresh control circuit operates such that a dynamic memory (28) coupled to a processing means responds to a memory access signal (BMREQ) for a read/write operation and a first refresh control signal (BMREF) for a memory refresh operation. First circuits (30, 32) provide a second periodic refresh control signal (REFREQ), and second circuits (34, 40) refresh the memory under the control of either of the first (BMREF) or second (REFREQ) refresh control signals. A third circuit (20) responsive to the memory access signal (BMREQ) and the second refresh control signal (REFREQ) awards priority of access to the memory (28) in accordance with the first active signal which it receives. A fourth circuit (20) puts the processing means in a hold condition when priority is awarded to the second refresh control signal (REFREQ). In a power down condition a (BRST) signal enables gates (42) having a battery back up to permit the dynamic memory to be refreshed.
(FR)
Circuit qui controle efficacement l"operation de regeneration d"une memoire dynamique. Ce circuit de controle de regeneration fonctionne de maniere telle qu"une memoire dynamique (28) accouplee a un moyen de traitement repond a un signal d"acces a la memoire (BMREQ) pour une operation de lecture/ecriture et a un premier signal de controle de regeneration (BMREF) pour une operation de regeneration de la memoire. Des premiers circuits (30, 32) fournissent un second signal periodique de controle de regeneration (REFREQ) et des seconds circuits (34, 40) regenerent1a memoire sous le controle soit du premier (BMREF) soit du second (REFREQ) signal de controle de regeneration U n troisieme circuit (20) sensible au signal d"acces a la memoire (BMREQ) et au second signal de controle de la regeneration (REFREQ) attribue la priorite d"acces a la memoire (28) en accord avec le premier signal qu"il recoit. Un quatrieme circuit (20) met le moyen de traitement en une position de prise lorsque la priorite est attribuee au second signal de controle de regeneration (REFREQ). En cas de manque de puissance un signal (BRST) permet a des portes (42) ayant une batterie de secours de permettre la regeneration de la memoire dynamique.
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