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1. (WO1980001338) COMMUTATEUR A SEMI-CONDUCTEUR DE JONCTION DE HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1980/001338    N° de la demande internationale :    PCT/US1979/001044
Date de publication : 26.06.1980 Date de dépôt international : 06.12.1979
CIB :
H01L 21/761 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
971886 20.12.1978 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE JUNCTION SOLID-STATE SWITCH
(FR) COMMUTATEUR A SEMI-CONDUCTEUR DE JONCTION DE HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A high voltage solid-state switch, which allows alternating or direct current operation and provides bidirectional blocking, consists of a first p type semiconductor body (16, 16a) on an n type semiconductor wafer substrate (12). A p+ type anode region (18, 18a) and an n+ type cathode region (24, 24a) exist in portions of the semiconductor body (16, 16a). A second p type region (22, 22a) of higher impurity concentration than the semiconductor body (16, 16a) encircles the cathode region (24, 24a). The anode region (18, 18a) and second p type region (22, 22a) are separated from each other by a portion of the semiconductor body (16, 16a). The semiconductor wafer substrate (12), which acts as a gate, is adapted to allow low resistance contact thereto. Separated low resistance contacts are made to the anode region (18, 18a) and to the cathode region (24, 24a).
(FR)Un commutateur a semi-conducteur de haute tension, qui permet un fonctionnement en courant alternatif ou en courant continu et effectue un blocage bi-directionnel, consiste en un premier corps semi-conducteur du type p (16, 16a) sur un substrat a tranches a semi-conducteur du type n (12). Une region anode du type p+ (18, 18a) et une region cathode du type n+ (24, 24a) existent dans des portions du corps semi-conducteur (16, 16a). Une seconde region du type p (22, 22a) d"une concentration en impuretes superieure a celle du corps semi-conducteur (16, 16a) encercle la region cathode (24, 24a). La region anode (18, 18a) et la seconde region du type p (22, 22a) sont separees l"une de l"autre par une portion du corps semi-conducteur (16, 16a). Le substrat a tranche a semi-conducteur (12), qui agit comme une porte est adapte pour permettre un contact a faible resistance. Des contacts a faible resistance separes sont faits sur la region anode (18, 18a) et sur la region cathode (24, 24a).
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)