Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. US20090010295 - Distributed feedback semiconductor laser based on reconstruction-equivalent-chirp technology and the manufacture method of the same

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 12281765
Date de la demande 25.02.2007
Numéro de publication 20090010295
Date de publication 08.01.2009
Numéro de délivrance 07873089
Date de délivrance 18.01.2011
Type de publication B2
CIB
H01S 3/08
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
05Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
08Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
H01S 5/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
Déposants Nanjing University
Inventeurs Chen Xiangfei
Mandataires Global IP Services
Gu Tianhua
Données relatives à la priorité 200610038728.9 09.03.2006 CN
Titre
(EN) Distributed feedback semiconductor laser based on reconstruction-equivalent-chirp technology and the manufacture method of the same
Abrégé
(EN)

Using sampled Bragg grating structure, the present invention proposes a distributed feedback (DFB) semiconductor laser based on reconstruction-equivalent-chirp technology. Namely, the Bragg grating in the said DFB semiconductor laser cavity is a sampled Bragg grating, in which there is an equivalent grating corresponding to the original ordinary DFB grating as feedback for lasing. The laser wavelength of the said semiconductor laser located within the operation bandwidth of the said equivalent grating. The said equivalent grating is designed and fabricated using REC technology and has equivalent chirps, one equivalent phase shift or multiple equivalent phase shifts. The said sampled Bragg grating has multiple ghost gratings and the wavelength spacing between neighboring ghost gratings is inversely proportional to the sampling period and the effective refractive index of the said semiconductor laser. Only one ghost grating except the ghost grating related to the center wavelength is selected to be as equivalent grating. In semiconductor laser fields, only based on sub-micron precision, the present invention provides a method to realize various complex equivalent chirps and equivalent phase shifts in the resonant cavity of the said semiconductor laser. These equivalent chirps and equivalent phase shifts have the same functions with the corresponding true chirps and true phase shifts, so as to avoid the processes of fabrication of grating structure with complex true chirps and true phase shifts.

Également publié en tant que