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1. US20090197352 - Substrate processing method and film forming method

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 12382343
Date de la demande 13.03.2009
Numéro de publication 20090197352
Date de publication 06.08.2009
Numéro de délivrance 08507296
Date de délivrance 13.08.2013
Type de publication B2
CIB
H01L 21/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
B05C 11/02
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
CAPPAREILLAGES POUR L'APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
11Parties constitutives, détails ou accessoires non prévus dans les groupes B05C1/-B05C9/126
02Appareils pour étaler ou répartir des liquides ou d'autres matériaux fluides déjà appliqués sur une surface; Réglage de l'épaisseur du revêtement
G06F 19/00
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
19Équipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des applications spécifiques
Déposants Ueno Masaaki
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Shimada Masakazu
Hanashima Takeo
Morikawa Haruo
Hayashida Akira
Inventeurs Ueno Masaaki
Shimada Masakazu
Hanashima Takeo
Morikawa Haruo
Hayashida Akira
Mandataires Oliff & Berridge, PLC
Données relatives à la priorité 2006-061318 07.03.2006 JP
Titre
(EN) Substrate processing method and film forming method
Abrégé
(EN)

A substrate processing method in a processing chamber, has: accommodating a substrate into a processing chamber; and processing the substrate in the processing chamber on the basis of a correlation of a preset temperature of a heating device, a flow rate of fluid supplied by a cooling device and a temperature deviation between the center side of the substrate accommodated in the processing chamber and the outer peripheral side of the substrate while the substrate accommodated in the processing chamber is optically heated from an outer periphery side of the substrate at a corrected preset temperature by the heating device and the fluid is supplied to the outside of the processing chamber at the flow rate based on the correlation concerned to cool the outer peripheral side of the substrate by the cooling device.