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1. US20060214184 - Process for forming a planar diode using one mask

Office États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 11090708
Date de la demande 25.03.2005
Numéro de publication 20060214184
Date de publication 28.09.2006
Numéro de délivrance 08525222
Date de délivrance 03.09.2013
Type de publication B2
CIB
H01L 29/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
Déposants Wang Benson
Vishay General Semiconductor LLC
Lu Kevin
Chiang Warren
Chen Max
Inventeurs Wang Benson
Lu Kevin
Chiang Warren
Chen Max
Mandataires Mayer & Williams PC
Mayer Stuart H.
Williams Karin L.
Titre
(EN) Process for forming a planar diode using one mask
Abrégé
(EN)

A planar diode and method of making the same employing only one mask. The diode is formed by coating a substrate with an oxide, removing a central portion of the oxide to define a window through which dopants are diffused. The substrate is given a Ni/Au plating to provide ohmic contact surfaces, and the oxide on the periphery of the window is coated with a polyimide passivating agent overlying the P/N junction.