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1. US20050205004 - Graphite heater for producing single crystal, apparatus for producing single crystal, and method for producing single crystal

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 10516347
Date de la demande 30.11.2004
Numéro de publication 20050205004
Date de publication 22.09.2005
Numéro de délivrance 7258744
Date de délivrance 21.08.2007
Type de publication B2
CIB
C30B 35/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
35Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
C30B 15/14
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
14Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
C30B 15/20
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20Commande ou régulation
CPC
C30B 15/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14Heating of the melt or the crystallised materials
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Déposants Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Inventeurs Sakurada Masahiro
Fusegawa Izumi
Soeta Satoshi
Iida Makoto
Mandataires Oliff & Berridge, PLC
Données relatives à la priorité 2002382291 27.12.2002 JP
2002382307 27.12.2002 JP
2002382317 27.12.2002 JP
2003111694 16.04.2003 JP
Titre
(EN) Graphite heater for producing single crystal, apparatus for producing single crystal, and method for producing single crystal
Abrégé
(EN)

The present invention discloses a graphite heater for producing a single crystal used when producing a single crystal by the Czochralski method which comprises at least a terminal part to which electric current is supplied and a cylindrical heat generating part by resistance heating and are provided so as to surround a crucible for containing a raw material melt wherein the heat generating part has heat generating slit parts formed by being provided with upper slits extending downward from the upper end and lower slits extending upwards from the lower end by turns, and a length of at least one slit of the upper slits differs from others and/or a length of at least one slit of the lower slits differs from others so that a heat generating distribution of the heat generating part may be changed. Thereby, there can be provided a graphite heater for producing a single crystal which makes it possible to produce a silicon single crystal with high productivity when the silicon single crystal is pulled in a predetermined defect-free region or a predetermined defect region.

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