US20030209759 MOSFET device having geometry that permits frequent body contact

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Office

États-Unis d'Amérique

Numéro de la demande 10142674

Date de la demande 10.05.2002

Numéro de publication 20030209759

Date de publication 13.11.2003

Numéro de délivrance 6724044

Date de délivrance 20.04.2004

Type de publication B2

CIB

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CPC

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Déposants General Semiconductor, Inc.

Inventeurs Blanchard, Richard A.

Mandataires Mayer Fortkort & Williams, PC
Bonham, Esq., David B.
Williams, Esq., Karin L.

Données relatives à la priorité 10142674 10.05.2002 US

Titre

(EN) MOSFET device having geometry that permits frequent body contact

Abrégé

(EN)

A MOSFET device design is provided that effectively addresses the problems arising from the parasitic bipolar transistor that is intrinsic to the device. The MOSFET device comprises: (a) a body region; (b) a plurality of body contact regions; (c) a plurality of source regions; (d) a plurality of drain regions; and (d) a gate region. In plan view, the source regions and the drain regions are arranged in orthogonal rows and columns, and at least a portion of the body contact regions are bordered by four of the source and drain regions, preferably two source regions and two drain regions.

Documents de brevet associés

EP1540737

CN1777997

AU2003265236

JP2005530337

WO/2003/103016

US20050001272

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29	Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66	Types de dispositifs semi-conducteurs
86	commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
92	Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface
94	Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29	Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66	Types de dispositifs semi-conducteurs

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29	Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66	Types de dispositifs semi-conducteurs
68	commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76	Dispositifs unipolaires
772	Transistors à effet de champ
78	l'effet de champ étant produit par une porte isolée

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70	Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21	Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70	Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77	Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78	avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82	pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822	le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232	Technologie à effet de champ
8234	Technologie MIS

Traitement en cours

Entrées en phase nationale

Fichier d'autorité

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1. US20030209759 - MOSFET device having geometry that permits frequent body contact

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29	Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02	Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06	characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684	characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0692	Surface layout

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21	Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70	Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77	Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78	with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82	to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822	the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232	Field-effect technology
8234	MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823418	with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
823425	manufacturing common source or drain regions between a plurality of conductor-insulator-semiconductor structures

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21	Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70	Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77	Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78	with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82	to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822	the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232	Field-effect technology
8234	MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823418	with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
823425	manufacturing common source or drain regions between a plurality of conductor-insulator-semiconductor structures