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1. US5550370 - Potential sensor employing electrooptic crystal and potential measuring method

Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 08404345
Date de la demande 15.03.1995
Numéro de publication 5550370
Date de publication 27.08.1996
Numéro de délivrance 5550370
Date de délivrance 27.08.1996
Type de publication A
CIB
G01R 31/00
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
G02F 1/015
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
G01R 1/067
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
1Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes G01R5/-G01R13/125
02Éléments structurels généraux
06Conducteurs de mesure; Sondes de mesure
067Sondes de mesure
G01R 1/07
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
1Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes G01R5/-G01R13/125
02Éléments structurels généraux
06Conducteurs de mesure; Sondes de mesure
067Sondes de mesure
07Sondes n'établissant pas de contact
G01R 15/24
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
15Détails des dispositions pour procéder aux mesures des types prévus dans les groupes G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26191
14Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort
24utilisant des dispositifs modulateurs de lumière
CPC
G01R 1/071
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
1Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
02General constructional details
06Measuring leads; Measuring probes
067Measuring probes
07Non-contact-making probes
071containing electro-optic elements
G01R 15/242
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
24using light-modulating devices
241using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
242based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
Déposants Dai Nippon Printing Co., Ltd.
Inventeurs Takano Atsushi
Utsumi Minoru
Obata Hiroyuki
Mandataires Dellett and Walters
Données relatives à la priorité 1989294367 13.11.1989 JP
Titre
(EN) Potential sensor employing electrooptic crystal and potential measuring method
Abrégé
(EN)

A high-resistance compound semiconductor 12 is epitaxially grown on a low-resistance compound semiconductor 11 and a dielectric reflecting film 13 is formed thereon, thereby forming a monolithic sensor 10. As the low-resistance compound semiconductor 11, a compound semiconductor is used which has a large bandgap so as to enable probe light to pass therethrough without being absorbed and which has a lattice constant and a thermal expansion coefficient, which are close to those of the high-resistance compound semiconductor. In addition, since the low-resistance compound semiconductor 11 also serves as an electrode, a compound semiconductor which has a resistivity of 10.sup.+1 .OMEGA.cm or less is used. Since the shorter the wavelength of the probe light used, the larger the retardation change and the larger the signal output, a compound semiconductor which has a large bandgap is used as the high-resistance compound semiconductor 12 so that light of short wavelength can be used. The high-resistance compound semiconductor 12 is also required to have a large electrooptic constant and a resistivity of 10.sup.5 .OMEGA.cm or more.