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1. US20210140913 - ELECTRODE STRUCTURE

Lien permanent
Office
États-Unis d'Amérique
Numéro de la demande 17045826
Date de la demande 08.04.2019
Numéro de publication 20210140913
Date de publication 13.05.2021
Type de publication A1
CIB
G01N 27/333
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
28Composants de cellules électrolytiques
30Électrodes, p.ex. électrodes pour tests; Demi-cellules
333Electrodes ou membranes sélectives à l'égard des ions
G01N 27/416
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
416Systèmes
G06K 19/00
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
G01N 27/28
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
28Composants de cellules électrolytiques
H01L 23/28
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
CPC
G01N 27/416
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
416Systems
G01N 27/333
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
333Ion-selective electrodes or membranes
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
G01N 27/283
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
28Electrolytic cell components
283Means for supporting or introducing electrochemical probes
G06K 19/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
19Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
Déposants Hitachi High-Tech Corporation
Inventeurs Ukyo Ikeda
Tetsuyoshi Ono
Hiroki Nakatsuchi
Masafumi Miyake
Données relatives à la priorité 2018075095 10.04.2018 JP
Titre
(EN) ELECTRODE STRUCTURE
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Abrégé
(EN)

An electrode formed by molding a semiconductor device with resin. The electrode comprises: a first resin mold portion formed on a front surface of the semiconductor device and having a first thickness (t1); a second resin mold portion formed on a back surface of the semiconductor device and having a second thickness (t2) greater than the first thickness; and an exposed portion formed in a part of the first resin mold portion corresponding to an end of the semiconductor device.
Documents de brevet associés
JP2019186372
WO/2019/198670
CN111902921
EP3780073
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