Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. RU0002591013 - CIRCUIT DEVICE FOR CONTROL OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH BARRIER LAYER

Office Fédération de Russie
Numéro de la demande 2012101462/08
Date de la demande 13.09.2011
Numéro de publication 0002591013
Date de publication 10.07.2016
Numéro de délivrance
Date de délivrance 10.07.2016
Type de publication C2
CIB
H03K 17/0412
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
04Modifications pour accélérer la commutation
041sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0412par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/284
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
28Modifications pour introduire un retard avant commutation
284dans les commutateurs à transistors à effet de champ
Inventeurs ХАЙД Оливер (DE)
KHAJD Oliver (DE)
Données relatives à la priorité 102010041759 30.09.2010 DE
Titre
(EN) CIRCUIT DEVICE FOR CONTROL OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH BARRIER LAYER
(RU) СХЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ С ЗАПИРАЮЩИМ СЛОЕМ
Abrégé
(EN)
FIELD: electronic equipment. SUBSTANCE: invention relates to a device for control of field transistor with barrier layer. Circuit device for control of field transistor with barrier layer comprises field-effect transistor, which has a terminal gate and contact source, an exciter, which is configured to generate voltage signal with frequency, also includes a four-terminal element, which is connected with exciter input terminal and connected to the output of the gate output terminal and has a transfer function, which has a pole at odd multiple established frequency. EFFECT: reduced power losses due to reduced time of transition between phase locking and conductivity field-effect transistor. 10 cl, 6 dwg

(RU)
Изобретение относится к устройству для управления полевым транзистором с запирающим слоем. Достигаемый технический результат - снижение мощности потерь за счет сокращения времени перехода между фазой запирания и проводимости полевого транзистора. Схемное устройство для управления полевым транзистором с запирающим слоем содержит полевой транзистор, который имеет вывод затвора и контакт истока, возбудитель, который выполнен с возможностью генерации сигнала напряжения с установленной частотой, также содержит четырехполюсник, который имеет связанную с возбудителем входную клемму и связанную с выводом затвора выходную клемму и обладает передаточной функцией, которая имеет полюс при нечетном кратном установленной частоты. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Également publié en tant que